Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
PMDT670UPE,115
  • В избранное
  • В сравнение
PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115
;
PMDT670UPE,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PMDT670UPE,115
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666Все характеристики

Минимальная цена PMDT670UPE,115 при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMDT670UPE,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115 Nexperia — MOSFET транзистор

  • Количество каналов: 2P-CH (двухканальный)
  • Номинальное напряжение коллектора: 20В
  • Номинальный ток: 0,55А
  • Пакет: SOT666

Основные параметры:

  • Тип: MOSFET
  • Напряжение операции: до 20В
  • Максимальный ток: 0,55А
  • Тип пакета: SOT666 (плоский корпус)

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Малый размер и легкость
  • Высокая скорость включения/выключения
  • Малый тепловой сопротивление

Минусы:

  • Ограниченная мощность
  • Необходимо внимание к размещению для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями
  • Изменение тока в цепи
  • Переключение между проводимостью и диэлектрическим состоянием

В каких устройствах применяется:

  • Мощные источники питания
  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Инверторы
  • Распределенные системы энергии
Выбрано: Показать

Характеристики PMDT670UPE,115

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    550mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    850mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.14nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    330mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PMDT670

Техническая документация

 PMDT670UPE,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 1507 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    93 ₽
  • 100
    36 ₽
  • 1000
    24 ₽
  • 4000
    17.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PMDT670UPE,115
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666Все характеристики

Минимальная цена PMDT670UPE,115 при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMDT670UPE,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115 Nexperia — MOSFET транзистор

  • Количество каналов: 2P-CH (двухканальный)
  • Номинальное напряжение коллектора: 20В
  • Номинальный ток: 0,55А
  • Пакет: SOT666

Основные параметры:

  • Тип: MOSFET
  • Напряжение операции: до 20В
  • Максимальный ток: 0,55А
  • Тип пакета: SOT666 (плоский корпус)

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Малый размер и легкость
  • Высокая скорость включения/выключения
  • Малый тепловой сопротивление

Минусы:

  • Ограниченная мощность
  • Необходимо внимание к размещению для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями
  • Изменение тока в цепи
  • Переключение между проводимостью и диэлектрическим состоянием

В каких устройствах применяется:

  • Мощные источники питания
  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Инверторы
  • Распределенные системы энергии
Выбрано: Показать

Характеристики PMDT670UPE,115

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    550mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    850mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.14nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    330mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-666
  • Base Product Number
    PMDT670

Техническая документация

 PMDT670UPE,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN3032LFDBQ-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
    153Кешбэк 22 балла
    DMG6898LSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
    214Кешбэк 32 балла
    ZXMHC3A01N8TCТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
    218Кешбэк 32 балла
    DMC2041UFDB-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN
    234Кешбэк 35 баллов
    DMN4027SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
    242Кешбэк 36 баллов
    ZXMHC6A07N8TCТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
    295Кешбэк 44 балла
    2N7002DW-TPТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
    62Кешбэк 9 баллов
    AO7800Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
    15.4Кешбэк 2 балла
    AON3611Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
    28.5Кешбэк 4 балла
    AO6802Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
    42Кешбэк 6 баллов
    AO4840Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
    51Кешбэк 7 баллов
    AO6601Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
    52Кешбэк 7 баллов
    AO4803AТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
    52Кешбэк 7 баллов
    AO6800Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
    53Кешбэк 7 баллов
    AO9926CТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
    59Кешбэк 8 баллов
    AO4838Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
    62Кешбэк 9 баллов
    AO4813Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
    109Кешбэк 16 баллов
    AO4620Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    113Кешбэк 16 баллов
    AO4616Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
    122Кешбэк 18 баллов
    AON7804Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
    142Кешбэк 21 балл
    AO4805Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
    146Кешбэк 21 балл
    AO4807Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
    151Кешбэк 22 балла
    AON7934Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN
    154Кешбэк 23 балла
    AO4612Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
    154Кешбэк 23 балла
    AOD609Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4
    154Кешбэк 23 балла
    AO4828Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8-SOIC
    174Кешбэк 26 баллов
    AO4611Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
    189Кешбэк 28 баллов
    AON6992Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A
    191Кешбэк 28 баллов
    AO4822AТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    222Кешбэк 33 балла
    UPA602T-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    47.5Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные полевые транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП