Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
PMPB07R0UNAX
PMPB07R0UNAX

PMPB07R0UNAX

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMPB07R0UNAX
  • Описание:
    SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILEВсе характеристики

Минимальная цена PMPB07R0UNAX при покупке от 3000 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMPB07R0UNAX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PMPB07R0UNAX

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9mOhm @ 11.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1696 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN2020M-6
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
Техническая документация
 PMPB07R0UNAX.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 6000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 3000
    40 ₽
  • 6000
    37 ₽

Минимально и кратно 3000 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    PMPB07R0UNAX
  • Описание:
    SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILEВсе характеристики

Минимальная цена PMPB07R0UNAX при покупке от 3000 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMPB07R0UNAX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PMPB07R0UNAX

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9mOhm @ 11.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1696 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DFN2020M-6
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
Техническая документация
 PMPB07R0UNAX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPP60R180P7XKSA1MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
    656Кешбэк 98 баллов
    NTH4L020N120SC1SICFET N-CH 1200V 102A TO247
    5 760Кешбэк 864 балла
    SQJQ402E-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
    661Кешбэк 99 баллов
    IRFS654BN-CHANNEL POWER MOSFET
    297Кешбэк 44 балла
    BSC0403NSATMA1150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
    548Кешбэк 82 балла
    BSS84LT7GMOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
    54Кешбэк 8 баллов
    SQD100N04-3M6L_GE3MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
    376Кешбэк 56 баллов
    AOD21357MOSFET P-CH 30V 70A TO252
    230Кешбэк 34 балла
    IXFP30N25X3MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
    1 345Кешбэк 201 балл
    SQ3419AEEV-T1_BE3P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    176Кешбэк 26 баллов
    IXFX240N25X3MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3
    6 138Кешбэк 920 баллов
    PJQ4408P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    142Кешбэк 21 балл
    R6576ENZ4C13650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
    2 968Кешбэк 445 баллов
    PMV28ENEARMOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
    71Кешбэк 10 баллов
    SISH625DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
    187Кешбэк 28 баллов
    IPD80R1K2P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
    222Кешбэк 33 балла
    TSM180N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
    82Кешбэк 12 баллов
    PJA3405-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    80Кешбэк 12 баллов
    AONS62614TMOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN
    585Кешбэк 87 баллов
    R6507END3TL1650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
    417Кешбэк 62 балла
    IPTG210N25NM3FDATMA1TRENCH >=100V PG-HSOG-8
    794Кешбэк 119 баллов
    RJK0348DSP-WS#J0N-CHANNEL POWER MOSFET
    243Кешбэк 36 баллов
    IPD60R600P7SE8228AUMA1MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
    211Кешбэк 31 балл
    SISS28DN-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
    269Кешбэк 40 баллов
    DMN2055U-13MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1
    75Кешбэк 11 баллов
    NVBLS0D7N06CMOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
    2 574Кешбэк 386 баллов
    2SK1315L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    551Кешбэк 82 балла
    NTD78N03R-35GN-CHANNEL POWER MOSFET
    49Кешбэк 7 баллов
    IPSA70R450P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3
    232Кешбэк 34 балла
    IPD70R900P7SAUMA1MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
    106Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП