Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
PN4117
  • В избранное
  • В сравнение
PN4117

PN4117

PN4117
;
PN4117

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    InterFET
  • Артикул:
    PN4117
  • Описание:
    JFET N-CH 40V 0.35W TO92Все характеристики

Минимальная цена PN4117 при покупке от 1 шт 695.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PN4117 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PN4117

PN4117 InterFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92

  • Основные параметры:
    • Напряжение Рабочего Полюса: 40В
    • Мощность: 0.35Вт
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Пакет: TO92
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Низкий уровень шума
    • Доступная стоимость
  • Минусы:
    • Меньшая скорость включения по сравнению с MOSFET
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Применение в драйверах для мощных нагрузок
    • Изоляция сигналов
    • Распределение сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Коммуникационное оборудование
    • Медицинское оборудование
    • Производственное оборудование
    • Системы управления светом
Выбрано: Показать

Характеристики PN4117

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    30 µA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    PN4117

Техническая документация

 PN4117.pdf
pdf. 0 kb
  • 605 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    695 ₽
  • 10
    454 ₽
  • 100
    354 ₽
  • 500
    296 ₽
  • 1000
    254 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    InterFET
  • Артикул:
    PN4117
  • Описание:
    JFET N-CH 40V 0.35W TO92Все характеристики

Минимальная цена PN4117 при покупке от 1 шт 695.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PN4117 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PN4117

PN4117 InterFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92

  • Основные параметры:
    • Напряжение Рабочего Полюса: 40В
    • Мощность: 0.35Вт
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Пакет: TO92
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Низкий уровень шума
    • Доступная стоимость
  • Минусы:
    • Меньшая скорость включения по сравнению с MOSFET
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Применение в драйверах для мощных нагрузок
    • Изоляция сигналов
    • Распределение сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Коммуникационное оборудование
    • Медицинское оборудование
    • Производственное оборудование
    • Системы управления светом
Выбрано: Показать

Характеристики PN4117

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    30 µA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    PN4117

Техническая документация

 PN4117.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    91Кешбэк 13 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    91Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    105Кешбэк 15 баллов
    2SK932-23-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    111Кешбэк 16 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    121Кешбэк 18 баллов
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    133Кешбэк 19 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    145Кешбэк 21 балл
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    178Кешбэк 26 баллов
    CPH6904-TL-EJFET 2N-CH 0.7W CPH6
    202Кешбэк 30 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    202Кешбэк 30 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    695Кешбэк 104 балла
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    795Кешбэк 119 баллов
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 701Кешбэк 405 баллов
    2N4392N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    2N5116P-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 785Кешбэк 417 баллов
    2N4858AТиристор: JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
    2 842Кешбэк 426 баллов
    2N4118AMOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
    4 055Кешбэк 608 баллов
    J111SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    78Кешбэк 11 баллов
    J112Тиристор: JFET N-CH 35V 625MW TO92
    96Кешбэк 14 баллов
    MMBF4093JFET N-CH 40V 350MW SOT23-3
    111Кешбэк 16 баллов
    2N5462JFET P-CH 40V 0.35W TO92
    97Кешбэк 14 баллов
    PN4091SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов
    MMBF5461SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    36Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП