Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
PSMN004-60B,118
  • В избранное
  • В сравнение
PSMN004-60B,118

PSMN004-60B,118

PSMN004-60B,118
;
PSMN004-60B,118

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PSMN004-60B,118
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена PSMN004-60B,118 при покупке от 1 шт 865.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN004-60B,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN004-60B,118

PSMN004-60B,118 Nexperia MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 60В
    • Номинальный ток (ID(on)): 75А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый ток стока при отключенном канале
    • Устойчивость к перегреву
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для частых включений и выключений при низких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения и тока
    • Изменение состояния цепей в электронике
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Питание электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN004-60B,118

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    168 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    230W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

 PSMN004-60B,118.pdf
pdf. 0 kb
  • 4574 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    865 ₽
  • 10
    565 ₽
  • 50
    435 ₽
  • 100
    395 ₽
  • 800
    395 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    PSMN004-60B,118
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена PSMN004-60B,118 при покупке от 1 шт 865.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PSMN004-60B,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PSMN004-60B,118

PSMN004-60B,118 Nexperia MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 60В
    • Номинальный ток (ID(on)): 75А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый ток стока при отключенном канале
    • Устойчивость к перегреву
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для частых включений и выключений при низких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения и тока
    • Изменение состояния цепей в электронике
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Питание электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики PSMN004-60B,118

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    168 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    230W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

 PSMN004-60B,118.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZVP0545AMOSFET P-CH 450V 45MA TO92-3
    232Кешбэк 34 балла
    DMTH6010LPSQ-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    300Кешбэк 45 баллов
    DMP2130LDM-7MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
    122Кешбэк 18 баллов
    DMN4800LSSQ-13MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
    119Кешбэк 17 баллов
    DMTH6005LPSQ-13MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
    319Кешбэк 47 баллов
    DMP2066UFDE-7MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
    117Кешбэк 17 баллов
    ZVN4206AMOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
    181Кешбэк 27 баллов
    DMG3402L-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    25.4Кешбэк 3 балла
    DMN3008SFG-13MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
    198Кешбэк 29 баллов
    DMP2012SN-7MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
    82Кешбэк 12 баллов
    DMG2307L-7MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
    60Кешбэк 9 баллов
    ZXMP3A13FTAMOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
    74Кешбэк 11 баллов
    DMP32D9UFZ-7BMOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
    82Кешбэк 12 баллов
    DMN10H120SE-13MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
    161Кешбэк 24 балла
    DMT3006LDK-7MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
    122Кешбэк 18 баллов
    ZXMN10A09KTCMOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
    421Кешбэк 63 балла
    DI9435T
    504Кешбэк 75 баллов
    DMT3004LPS-13MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
    272Кешбэк 40 баллов
    DMTH6010LK3-13MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
    326Кешбэк 48 баллов
    ZXMP7A17KQTCMOSFET P-CH 70V 3.8A TO252
    69Кешбэк 10 баллов
    DMTH4007SPSQ-13MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
    337Кешбэк 50 баллов
    DMTH6010LPS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    265Кешбэк 39 баллов
    DMTH4005SPS-13MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
    300Кешбэк 45 баллов
    DMN4036LK3-13MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
    140Кешбэк 21 балл
    DMT6015LPS-13MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
    169Кешбэк 25 баллов
    DMNH10H028SK3-13MOSFET N-CH 100V 55A TO252
    319Кешбэк 47 баллов
    DMN3042L-7MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    DMNH4006SK3Q-13MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
    269Кешбэк 40 баллов
    DMT6016LPS-13MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
    157Кешбэк 23 балла
    DMN2027UPS-13MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
    167Кешбэк 25 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП