Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
PTVA104501EH-V1-R0
  • В избранное
  • В сравнение
PTVA104501EH-V1-R0

PTVA104501EH-V1-R0

PTVA104501EH-V1-R0
;
PTVA104501EH-V1-R0

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    PTVA104501EH-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-33288-2Все характеристики

Минимальная цена PTVA104501EH-V1-R0 при покупке от 1 шт 102990.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PTVA104501EH-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PTVA104501EH-V1-R0

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: PTVA104501EH-V1-R0
      • Производитель: MACOM Technology Solutions
      • Тип компонента: Транзистор
      • Функциональное назначение: Усилитель высокочастотного сигнала (IC AMP RF LDMOS)
      • Номиналы: H-33288-2
    • Плюсы:
      • Высокая мощность выходного сигнала
      • Устойчивость к высоким температурам
      • Долговечность и надежность
      • Эффективность работы
    • Минусы:
      • Высокие требования к условиям эксплуатации (температура, напряжение)
      • Сложность в монтаже и подключении
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Общее назначение:
      • Усилители радиосигналов
      • Станции передачи и приема сигналов
      • Радиоприемники и радиопередатчики
    • В каких устройствах применяется:
      • Радиостанции
      • Телевизионные станции
      • ГPS и спутниковые системы
      • Мобильные сети и базовые станции
      • Системы связи и навигации
Выбрано: Показать

Характеристики PTVA104501EH-V1-R0

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    960MHz ~ 1.215GHz
  • Усиление
    17.5dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    450W
  • Нормальное напряжение
    105 V
  • Корпус
    H-33288-2
  • Исполнение корпуса
    H-33288-2
  • Base Product Number
    PTVA104501

Техническая документация

 PTVA104501EH-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb
  • 28 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    102 990 ₽
  • 10
    95 156 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    PTVA104501EH-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-33288-2Все характеристики

Минимальная цена PTVA104501EH-V1-R0 при покупке от 1 шт 102990.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PTVA104501EH-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание PTVA104501EH-V1-R0

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: PTVA104501EH-V1-R0
      • Производитель: MACOM Technology Solutions
      • Тип компонента: Транзистор
      • Функциональное назначение: Усилитель высокочастотного сигнала (IC AMP RF LDMOS)
      • Номиналы: H-33288-2
    • Плюсы:
      • Высокая мощность выходного сигнала
      • Устойчивость к высоким температурам
      • Долговечность и надежность
      • Эффективность работы
    • Минусы:
      • Высокие требования к условиям эксплуатации (температура, напряжение)
      • Сложность в монтаже и подключении
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Общее назначение:
      • Усилители радиосигналов
      • Станции передачи и приема сигналов
      • Радиоприемники и радиопередатчики
    • В каких устройствах применяется:
      • Радиостанции
      • Телевизионные станции
      • ГPS и спутниковые системы
      • Мобильные сети и базовые станции
      • Системы связи и навигации
Выбрано: Показать

Характеристики PTVA104501EH-V1-R0

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    960MHz ~ 1.215GHz
  • Усиление
    17.5dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    450W
  • Нормальное напряжение
    105 V
  • Корпус
    H-33288-2
  • Исполнение корпуса
    H-33288-2
  • Base Product Number
    PTVA104501

Техническая документация

 PTVA104501EH-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLM9D2325-20ABZRF MOSFET LDMOS SOT1462-1
    6 036Кешбэк 905 баллов
    BLM9D1822-30BZBLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
    5 397Кешбэк 809 баллов
    BLP0408H9S30ZТранзистор: BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
    6 779Кешбэк 1 016 баллов
    BLP0427M9S20GZТранзистор: BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP
    4 876Кешбэк 731 балл
    B10G3741N55DZТранзистор: IC 28V LDMOS RF SOT1462-1
    6 373Кешбэк 955 баллов
    BLP0427M9S20ZТранзистор: BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP
    4 876Кешбэк 731 балл
    BLP9LA25SZТранзистор: BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
    3 363Кешбэк 504 балла
    ART1K6FHUТранзистор: ART1K6FH/SOT539/TRAY
    46 739Кешбэк 7 010 баллов
    BLP9LA25SGZТранзистор: BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
    3 424Кешбэк 513 баллов
    BLP9H10-30GZТранзистор: BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
    5 328Кешбэк 799 баллов
    ART2K0FEUТранзистор: ART2K0FE/SOT539/TRAY
    50 457Кешбэк 7 568 баллов
    BLA9G1011L-300GUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502F
    56 445Кешбэк 8 466 баллов
    BLS7G2325L-105,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A
    50 674Кешбэк 7 601 балл
    BLP2425M10S250PYТранзистор: BLP2425M10S250P/OMP780/REELDP
    12 168Кешбэк 1 825 баллов
    BLP15H9S10ZТранзистор: BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
    4 094Кешбэк 614 баллов
    BLP15M9S70ZТранзистор: BLP15M9S70/SOT1482/REELDP
    4 813Кешбэк 721 балл
    BLF189XRAUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    59 056Кешбэк 8 858 баллов
    BLF888B,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    45 359Кешбэк 6 803 балла
    BLP15M9S100ZТранзистор: BLP15M9S100/SOT1482/REELDP
    4 971Кешбэк 745 баллов
    BLF984PUТранзистор: BLF984P/SOT1121/TRAY
    31 803Кешбэк 4 770 баллов
    BLC9G22XS-400AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT1258
    13 111Кешбэк 1 966 баллов
    BLS9G2731L-400Транзистор: RF FET
    66 385Кешбэк 9 957 баллов
    BLM9D1822S-60PBGYBLM9D1822S-60PBG/OMP780/REELDP
    10 836Кешбэк 1 625 баллов
    BLL9G1214L-600UТранзистор: BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
    54 463Кешбэк 8 169 баллов
    BLM9D2327-26BZBLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
    5 495Кешбэк 824 балла
    ART35FEUТранзистор: ART35FE/SOT467/TRAY
    16 835Кешбэк 2 525 баллов
    BLM8D1822S-50PBYRF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPF
    9 293Кешбэк 1 393 балла
    BLS9G2731LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    66 385Кешбэк 9 957 баллов
    BLF978PUТранзистор: BLF978P/SOT539/TRAY
    49 729Кешбэк 7 459 баллов
    BLC9G20XS-160AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16.6DB SOT12753
    10 271Кешбэк 1 540 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП