Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
QH8MA4TCR
  • В избранное
  • В сравнение
QH8MA4TCR

QH8MA4TCR

QH8MA4TCR
;
QH8MA4TCR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    QH8MA4TCR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8Все характеристики

Минимальная цена QH8MA4TCR при покупке от 1 шт 266.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QH8MA4TCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QH8MA4TCR

Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжениеGBT (VGS(th)): 3.0 V
    • Номинальное напряжениеGBT (VDS): 30 V
    • Максимальная токовая способность (ID): 2 A
    • Температурный коэффициент RDS(on): -10 mΩ/℃
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами других производителей
    • Необходимость дополнительного проектирования для оптимизации характеристик
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных цепях
    • Переключение высоких токов с низкими потерями энергии
    • Использование в различных приборах и устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для преобразования напряжений
    • Промышленных системах автоматизации
    • Электронных устройствах для управления нагрузками
    • Системах питания и регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики QH8MA4TCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A, 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.5nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    640pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    TSMT8
  • Base Product Number
    QH8MA4

Техническая документация

 QH8MA4TCR.pdf
pdf. 0 kb
  • 4343 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    266 ₽
  • 10
    169 ₽
  • 500
    87 ₽
  • 3000
    73 ₽
  • 9000
    61 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    QH8MA4TCR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8Все характеристики

Минимальная цена QH8MA4TCR при покупке от 1 шт 266.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QH8MA4TCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QH8MA4TCR

Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжениеGBT (VGS(th)): 3.0 V
    • Номинальное напряжениеGBT (VDS): 30 V
    • Максимальная токовая способность (ID): 2 A
    • Температурный коэффициент RDS(on): -10 mΩ/℃
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами других производителей
    • Необходимость дополнительного проектирования для оптимизации характеристик
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных цепях
    • Переключение высоких токов с низкими потерями энергии
    • Использование в различных приборах и устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для преобразования напряжений
    • Промышленных системах автоматизации
    • Электронных устройствах для управления нагрузками
    • Системах питания и регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики QH8MA4TCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A, 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.5nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    640pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    TSMT8
  • Base Product Number
    QH8MA4

Техническая документация

 QH8MA4TCR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    US6M11TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    US6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    QS5K2TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
    180Кешбэк 27 баллов
    QH8MA2TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
    180Кешбэк 27 баллов
    QS6M4TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    181Кешбэк 27 баллов
    TT8J11TCRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
    183Кешбэк 27 баллов
    US6K4TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
    187Кешбэк 28 баллов
    QS6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
    187Кешбэк 28 баллов
    US6M1TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    QS6J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    HS8K11TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
    189Кешбэк 28 баллов
    US6K2TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
    193Кешбэк 28 баллов
    QS6K1TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
    195Кешбэк 29 баллов
    US6M2TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
    198Кешбэк 29 баллов
    TT8J21TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
    255Кешбэк 38 баллов
    SH8K41GZETBТранзистор: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
    266Кешбэк 39 баллов
    QH8MA4TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
    266Кешбэк 39 баллов
    QS8K21TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
    276Кешбэк 41 балл
    QS8J2TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
    280Кешбэк 42 балла
    SH8K12TB1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
    295Кешбэк 44 балла
    QS8J4TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
    310Кешбэк 46 баллов
    QS8J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
    321Кешбэк 48 баллов
    HP8KA1TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
    333Кешбэк 49 баллов
    QS8K13TCRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
    357Кешбэк 53 балла
    SH8J62TB1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8
    361Кешбэк 54 балла
    SP8J2TBТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
    363Кешбэк 54 балла
    SH8M41TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
    364Кешбэк 54 балла
    QS8M51TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
    374Кешбэк 56 баллов
    QS8J5TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
    404Кешбэк 60 баллов
    SH8M24TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8
    420Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторные модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП