Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
QS6J1TR

QS6J1TR

QS6J1TR
;
QS6J1TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена QS6J1TR при покупке от 1 шт 185.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QS6J1TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QS6J1TR

QS6J1TR Rohm Semiconductor Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

  • Основные параметры:
    • Напряжение на разрыв (VDS(on)): 20В
    • Ток прямого тока (ID(on)): 1.5А
    • Количество каналов (Channel): 2P-CH
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый коэффициент температурной зависимости
    • Устойчивость к переносу заряда
    • Малое энергетическое затухание
  • Минусы:
    • Затраты на производство выше по сравнению с биполярными транзисторами
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение уровня напряжения
    • Передача сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Мощные светодиодные источники света (LED)
    • Электронные музыкальные инструменты
Выбрано: Показать

Характеристики QS6J1TR

Техническая документация

QS6J1TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 12374 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    185 ₽
  • 10
    115 ₽
  • 500
    58 ₽
  • 3000
    45 ₽
  • 9000
    38.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена QS6J1TR при покупке от 1 шт 185.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QS6J1TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QS6J1TR

QS6J1TR Rohm Semiconductor Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

  • Основные параметры:
    • Напряжение на разрыв (VDS(on)): 20В
    • Ток прямого тока (ID(on)): 1.5А
    • Количество каналов (Channel): 2P-CH
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый коэффициент температурной зависимости
    • Устойчивость к переносу заряда
    • Малое энергетическое затухание
  • Минусы:
    • Затраты на производство выше по сравнению с биполярными транзисторами
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение уровня напряжения
    • Передача сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Мощные светодиодные источники света (LED)
    • Электронные музыкальные инструменты
Выбрано: Показать

Характеристики QS6J1TR

Техническая документация

QS6J1TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории