Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
QS6J1TR
  • В избранное
  • В сравнение
QS6J1TR

QS6J1TR

QS6J1TR
;
QS6J1TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    QS6J1TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6Все характеристики

Минимальная цена QS6J1TR при покупке от 1 шт 189.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QS6J1TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QS6J1TR

QS6J1TR Rohm Semiconductor Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

  • Основные параметры:
    • Напряжение на разрыв (VDS(on)): 20В
    • Ток прямого тока (ID(on)): 1.5А
    • Количество каналов (Channel): 2P-CH
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый коэффициент температурной зависимости
    • Устойчивость к переносу заряда
    • Малое энергетическое затухание
  • Минусы:
    • Затраты на производство выше по сравнению с биполярными транзисторами
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение уровня напряжения
    • Передача сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Мощные светодиодные источники света (LED)
    • Электронные музыкальные инструменты
Выбрано: Показать

Характеристики QS6J1TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    215mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    270pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.25W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Base Product Number
    QS6J1

Техническая документация

 QS6J1TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 5938 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    189 ₽
  • 10
    118 ₽
  • 500
    59 ₽
  • 3000
    46 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    QS6J1TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6Все характеристики

Минимальная цена QS6J1TR при покупке от 1 шт 189.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QS6J1TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QS6J1TR

QS6J1TR Rohm Semiconductor Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

  • Основные параметры:
    • Напряжение на разрыв (VDS(on)): 20В
    • Ток прямого тока (ID(on)): 1.5А
    • Количество каналов (Channel): 2P-CH
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый коэффициент температурной зависимости
    • Устойчивость к переносу заряда
    • Малое энергетическое затухание
  • Минусы:
    • Затраты на производство выше по сравнению с биполярными транзисторами
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение уровня напряжения
    • Передача сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Мощные светодиодные источники света (LED)
    • Электронные музыкальные инструменты
Выбрано: Показать

Характеристики QS6J1TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    215mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    270pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    1.25W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Base Product Number
    QS6J1

Техническая документация

 QS6J1TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    US6M11TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    US6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    QS5K2TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
    180Кешбэк 27 баллов
    QH8MA2TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
    180Кешбэк 27 баллов
    QS6M4TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    181Кешбэк 27 баллов
    TT8J11TCRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
    183Кешбэк 27 баллов
    US6K4TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
    187Кешбэк 28 баллов
    QS6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
    187Кешбэк 28 баллов
    US6M1TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    QS6J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    HS8K11TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
    189Кешбэк 28 баллов
    US6K2TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
    193Кешбэк 28 баллов
    QS6K1TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
    195Кешбэк 29 баллов
    US6M2TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
    198Кешбэк 29 баллов
    TT8J21TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
    255Кешбэк 38 баллов
    SH8K41GZETBТранзистор: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
    266Кешбэк 39 баллов
    QH8MA4TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
    266Кешбэк 39 баллов
    QS8K21TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
    276Кешбэк 41 балл
    QS8J2TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
    280Кешбэк 42 балла
    SH8K12TB1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
    295Кешбэк 44 балла
    QS8J4TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
    310Кешбэк 46 баллов
    QS8J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
    321Кешбэк 48 баллов
    HP8KA1TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
    333Кешбэк 49 баллов
    QS8K13TCRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
    357Кешбэк 53 балла
    SH8J62TB1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8
    361Кешбэк 54 балла
    SP8J2TBТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
    363Кешбэк 54 балла
    SH8M41TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
    364Кешбэк 54 балла
    QS8M51TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
    374Кешбэк 56 баллов
    QS8J5TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
    404Кешбэк 60 баллов
    SH8M24TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8
    420Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП