Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
QS8J1TR
  • В избранное
  • В сравнение
QS8J1TR

QS8J1TR

QS8J1TR
;
QS8J1TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    QS8J1TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8Все характеристики

Минимальная цена QS8J1TR при покупке от 1 шт 321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QS8J1TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QS8J1TR

Размеры и производительность:

  • Марка: Rohm Semiconductor
  • Тип: MOSFET 2P-CH
  • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 12В
  • Максимальный ток (ID): 4.5А
  • Тип контакта: TSMT8

Основные преимущества:

  • Высокая проводимость в режиме открытия благодаря низкому напряжению насыщения.
  • Короткий канал обеспечивает быструю работу и низкое время перехода.
  • Стабильность работы при различных условиях температур и напряжений.
  • Малый размер и компактная конструкция, что позволяет использовать их в компактных устройствах.

Основные недостатки:

  • Уязвимость к электрическим импульсам (ESD), требует дополнительной защиты.
  • Высокий тепловой поток при высоких нагрузках, что может привести к перегреву без эффективного охлаждения.

Общее назначение:

  • Использование в системах управления мощностью.
  • Применение в источниках питания для регулирования напряжения.
  • Интеграция в электронные устройства для управления электрическими цепями.

Применение в устройствах:

  • Питание мобильных устройств.
  • Автомобильные системы.
  • Промышленное оборудование.
  • Электронные системы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики QS8J1TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2450pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    TSMT8
  • Base Product Number
    QS8J1

Техническая документация

 QS8J1TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 6000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    321 ₽
  • 10
    204 ₽
  • 100
    137 ₽
  • 1000
    98 ₽
  • 6000
    81 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    QS8J1TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8Все характеристики

Минимальная цена QS8J1TR при покупке от 1 шт 321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QS8J1TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QS8J1TR

Размеры и производительность:

  • Марка: Rohm Semiconductor
  • Тип: MOSFET 2P-CH
  • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 12В
  • Максимальный ток (ID): 4.5А
  • Тип контакта: TSMT8

Основные преимущества:

  • Высокая проводимость в режиме открытия благодаря низкому напряжению насыщения.
  • Короткий канал обеспечивает быструю работу и низкое время перехода.
  • Стабильность работы при различных условиях температур и напряжений.
  • Малый размер и компактная конструкция, что позволяет использовать их в компактных устройствах.

Основные недостатки:

  • Уязвимость к электрическим импульсам (ESD), требует дополнительной защиты.
  • Высокий тепловой поток при высоких нагрузках, что может привести к перегреву без эффективного охлаждения.

Общее назначение:

  • Использование в системах управления мощностью.
  • Применение в источниках питания для регулирования напряжения.
  • Интеграция в электронные устройства для управления электрическими цепями.

Применение в устройствах:

  • Питание мобильных устройств.
  • Автомобильные системы.
  • Промышленное оборудование.
  • Электронные системы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики QS8J1TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2450pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    TSMT8
  • Base Product Number
    QS8J1

Техническая документация

 QS8J1TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    US6M11TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    US6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    QS5K2TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
    180Кешбэк 27 баллов
    QH8MA2TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
    180Кешбэк 27 баллов
    QS6M4TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    181Кешбэк 27 баллов
    TT8J11TCRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
    183Кешбэк 27 баллов
    US6K4TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
    187Кешбэк 28 баллов
    QS6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
    187Кешбэк 28 баллов
    US6M1TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    QS6J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    HS8K11TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
    189Кешбэк 28 баллов
    US6K2TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
    193Кешбэк 28 баллов
    QS6K1TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
    195Кешбэк 29 баллов
    US6M2TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
    198Кешбэк 29 баллов
    TT8J21TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
    255Кешбэк 38 баллов
    SH8K41GZETBТранзистор: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
    266Кешбэк 39 баллов
    QH8MA4TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
    266Кешбэк 39 баллов
    QS8K21TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
    276Кешбэк 41 балл
    QS8J2TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
    280Кешбэк 42 балла
    SH8K12TB1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
    295Кешбэк 44 балла
    QS8J4TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
    310Кешбэк 46 баллов
    QS8J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
    321Кешбэк 48 баллов
    HP8KA1TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
    333Кешбэк 49 баллов
    QS8K13TCRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
    357Кешбэк 53 балла
    SH8J62TB1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8
    361Кешбэк 54 балла
    SP8J2TBТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
    363Кешбэк 54 балла
    SH8M41TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
    364Кешбэк 54 балла
    QS8M51TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
    374Кешбэк 56 баллов
    QS8J5TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
    404Кешбэк 60 баллов
    SH8M24TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8
    420Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП