Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
QSH29TR
  • В избранное
  • В сравнение
QSH29TR

QSH29TR

QSH29TR
;
QSH29TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    QSH29TR
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6Все характеристики

Минимальная цена QSH29TR при покупке от 1 шт 245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QSH29TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QSH29TR

QSH29TR Rohm Semiconductor Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Мощность: 1.25 Вт
    • Технология: TSMT6
    • Применяется для предварительного наведения (prebias)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
    • Удобство монтажа благодаря TSMT6 технологии
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными вариантами
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Регуляторы напряжения
    • Измерительные приборы
    • Автомобильные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные центры и аудиосистемы
    • Компьютерные блоки питания
    • Автомобильные электронные системы
    • Профессиональное оборудование для измерений
Выбрано: Показать

Характеристики QSH29TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    70V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    500 @ 200mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Рассеивание мощности
    1.25W
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Base Product Number
    QSH29

Техническая документация

 QSH29TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 1948 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    245 ₽
  • 10
    153 ₽
  • 500
    80 ₽
  • 3000
    63 ₽
  • 9000
    55 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    QSH29TR
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6Все характеристики

Минимальная цена QSH29TR при покупке от 1 шт 245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить QSH29TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание QSH29TR

QSH29TR Rohm Semiconductor Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Мощность: 1.25 Вт
    • Технология: TSMT6
    • Применяется для предварительного наведения (prebias)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
    • Удобство монтажа благодаря TSMT6 технологии
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными вариантами
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Регуляторы напряжения
    • Измерительные приборы
    • Автомобильные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные центры и аудиосистемы
    • Компьютерные блоки питания
    • Автомобильные электронные системы
    • Профессиональное оборудование для измерений
Выбрано: Показать

Характеристики QSH29TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    70V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    500 @ 200mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Рассеивание мощности
    1.25W
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Base Product Number
    QSH29

Техническая документация

 QSH29TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSM21356DW6T1GTRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
    7.6Кешбэк 1 балл
    NSM21156DW6T1GТранзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
    7.6Кешбэк 1 балл
    NSBA113EDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    7.6Кешбэк 1 балл
    EMG2DXV5T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
    7.6Кешбэк 1 балл
    MUN5132DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    9.8Кешбэк 1 балл
    MUN5237DW1T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    10Кешбэк 1 балл
    NSBA123JDP6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA114YDP6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC144WPDP6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC124EDP6T5GTRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC144EPDXV6T5TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC114TDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA123JDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA143ZDP6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC114TDXV6T5TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA124EDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC124XDXV6T1TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA124XDXV6T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA124EDP6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC123EPDXV6T1TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    EMG2DXV5T5Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC143ZPDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA114EDXV6T5GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA143EDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA143ZDXV6T1Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    EMA6DXV5T5GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC113EDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBC143TDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA114TDXV6T5Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA144WDP6T5GТранзистор
    13.3Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП