Вход/Регистрация
NTR0202PLT1GMOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
R6004ENJTL
R6004ENJTL
- Производитель:ROHM Semiconductor
- Артикул:R6004ENJTL
- Описание:MOSFET N-CH 600V 4A LPTSВсе характеристики
Минимальная цена R6004ENJTL при покупке от 1 шт 379.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6004ENJTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 984 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1379 ₽
- 10242 ₽
- 100165 ₽
- 1000116 ₽
- 500097 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:ROHM Semiconductor
- Артикул:R6004ENJTL
- Описание:MOSFET N-CH 600V 4A LPTSВсе характеристики
Минимальная цена R6004ENJTL при покупке от 1 шт 379.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6004ENJTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание R6004ENJTL
R6004ENJTL ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A LPTS — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании ROHM Semiconductor. Основные параметры:
- Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
- Размер тока (ID(on)): 4А
- Тип: N-канальный
- Стандарт: LPTS (Low Power Transient-Suppression)
Плюсы:
- Высокая надежность и стабильность работы
- Малый размер и легкость интеграции в электронные схемы
- Низкий коэффициент включения (ton) и выключения (toff)
- Высокая частота работы
- Эффективность в различных условиях эксплуатации
Минусы:
- Высокие цены по сравнению с менее производительными моделями
- Необходимость учета специфических требований к проектированию при использовании
Общее назначение и применение:
- Управление нагрузками в электропитании устройств
- Защита от перенапряжений и импульсных воздействий
- Изменение уровня напряжения в системах преобразования
- Использование в источниках питания
- Применение в цифровых и аналоговых схемах
Выбрано: Показать
Характеристики R6004ENJTL
Техническая документация
R6004ENJTL.pdf pdf. 0 kb