Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
R6004KNJTL
  • В избранное
  • В сравнение
R6004KNJTL

R6004KNJTL

R6004KNJTL
;
R6004KNJTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    R6004KNJTL
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263Все характеристики

Минимальная цена R6004KNJTL при покупке от 1 шт 555.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6004KNJTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6004KNJTL

R6004KNJTL ROHM MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 — это полевое транзисторное устройство с ненаправленным каналом от компании ROHM. Основные характеристики:

  • Напряжение блокировки (VDS(on)): 600В
  • Ток нагрузки (ID): 4А
  • Компактный корпус TO263

Плюсы:

  • Высокое напряжение блокировки
  • Высокий ток нагрузки
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции корпуса
  • Доступность и распространенность

Минусы:

  • Высокие потери при работе в режиме регулирования
  • Необходимо дополнительное охлаждение для максимального использования мощности
  • Нет защиты от обратного напряжения без внешних компонентов

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Применяется в источниках питания
  • Инверторах
  • Модулях управления двигателем

Применяется в:

  • Системах питания электронных устройств
  • Автомобильных системах
  • Промышленном оборудовании
  • Энергосберегающих устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики R6004KNJTL

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    980mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    280 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    58W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LPTS
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    R6004

Техническая документация

 R6004KNJTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 97 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    555 ₽
  • 10
    361 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    R6004KNJTL
  • Описание:
    MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263Все характеристики

Минимальная цена R6004KNJTL при покупке от 1 шт 555.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6004KNJTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6004KNJTL

R6004KNJTL ROHM MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 — это полевое транзисторное устройство с ненаправленным каналом от компании ROHM. Основные характеристики:

  • Напряжение блокировки (VDS(on)): 600В
  • Ток нагрузки (ID): 4А
  • Компактный корпус TO263

Плюсы:

  • Высокое напряжение блокировки
  • Высокий ток нагрузки
  • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции корпуса
  • Доступность и распространенность

Минусы:

  • Высокие потери при работе в режиме регулирования
  • Необходимо дополнительное охлаждение для максимального использования мощности
  • Нет защиты от обратного напряжения без внешних компонентов

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Применяется в источниках питания
  • Инверторах
  • Модулях управления двигателем

Применяется в:

  • Системах питания электронных устройств
  • Автомобильных системах
  • Промышленном оборудовании
  • Энергосберегающих устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики R6004KNJTL

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    980mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    280 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    58W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LPTS
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    R6004

Техническая документация

 R6004KNJTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TSM340N06CP ROGMOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
    160Кешбэк 24 балла
    TSM060N03PQ33 RGGТранзистор: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
    163Кешбэк 24 балла
    TSM060N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
    168Кешбэк 25 баллов
    TSM2314CX RFGMOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
    170Кешбэк 25 баллов
    TSM038N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
    173Кешбэк 25 баллов
    TSM085N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
    180Кешбэк 27 баллов
    TSM090N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
    184Кешбэк 27 баллов
    TSM2318CX RFGMOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
    191Кешбэк 28 баллов
    TQM300NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
    193Кешбэк 28 баллов
    TSM1NB60CP ROGMOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
    198Кешбэк 29 баллов
    TSM2307CX RFGMOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
    199Кешбэк 29 баллов
    TQM110NB04CR RLGMOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
    204Кешбэк 30 баллов
    TSM080N03EPQ56 RLGMOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
    207Кешбэк 31 балл
    TSM160P02CS RLGMOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
    207Кешбэк 31 балл
    TQM070NB04CR RLGMOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
    217Кешбэк 32 балла
    TSM2323CX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
    217Кешбэк 32 балла
    TSM055N03EPQ56 RLGТранзистор: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
    222Кешбэк 33 балла
    TSM080NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
    222Кешбэк 33 балла
    TSM055N03PQ56 RLGMOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
    230Кешбэк 34 балла
    TSM4NB65CP ROGMOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
    232Кешбэк 34 балла
    TSM085P03CV RGGMOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
    234Кешбэк 35 баллов
    TSM1NB60CW RPGMOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
    236Кешбэк 35 баллов
    TSM060N03ECP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
    239Кешбэк 35 баллов
    TQM130NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
    242Кешбэк 36 баллов
    TSM042N03CS RLGMOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
    245Кешбэк 36 баллов
    TSM150P04LCS RLGMOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
    247Кешбэк 37 баллов
    TSM052NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
    258Кешбэк 38 баллов
    TSM500N15CS RLG150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
    281Кешбэк 42 балла
    TSM085P03CS RLGMOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
    285Кешбэк 42 балла
    TSM4NB60CP ROGMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
    300Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП