Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
R6020JNJGTL
  • В избранное
  • В сравнение
R6020JNJGTL

R6020JNJGTL

R6020JNJGTL
;
R6020JNJGTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    R6020JNJGTL
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20A LPTSВсе характеристики

Минимальная цена R6020JNJGTL при покупке от 1 шт 606.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6020JNJGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6020JNJGTL

R6020JNJGTL ROHM MOSFET N-CH 600V 20A LPTS — это тип MOSFET (MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с неблокируемым каналом N-типа, предназначенного для работы в напряжении до 600 В и способного переносить ток до 20 А.

  • Основные параметры:
    • N-CH (N-типа блокировка канала): Дает возможность управления током с помощью положительного напряжения.
    • 600В: Максимальное напряжение, которое может выдерживать MOSFET без повреждения.
    • 20А: Максимальный ток, который может передавать MOSFET.
    • LPTS (Low Power Trench Stacked): Технология, обеспечивающая низкое энергопотребление и улучшенную эффективность.
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность.
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии.
    • Уменьшение потерь энергии благодаря технологии LPTS.
    • Малый размер и легкость в интеграции.
  • Минусы:
    • Требует точной регулировки рабочих условий.
    • Могут возникать проблемы с термическим управлением при высоких нагрузках.
    • Не подходит для всех типов применений из-за ограничений по напряжению и току.
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления токами.
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии и других устройствах, требующих точного управления током.
    • Подходит для применения в автомобильных системах и промышленном оборудовании.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания.
    • Преобразователи энергии.
    • Автомобильные системы.
    • Промышленное оборудование.
    • Электронные устройства с высокими требованиями к управляемости тока.
Выбрано: Показать

Характеристики R6020JNJGTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    234mOhm @ 10A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    7V @ 3.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    252W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LPTS
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    R6020

Техническая документация

 R6020JNJGTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 43 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    606 ₽
  • 10
    549 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    R6020JNJGTL
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20A LPTSВсе характеристики

Минимальная цена R6020JNJGTL при покупке от 1 шт 606.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6020JNJGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6020JNJGTL

R6020JNJGTL ROHM MOSFET N-CH 600V 20A LPTS — это тип MOSFET (MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с неблокируемым каналом N-типа, предназначенного для работы в напряжении до 600 В и способного переносить ток до 20 А.

  • Основные параметры:
    • N-CH (N-типа блокировка канала): Дает возможность управления током с помощью положительного напряжения.
    • 600В: Максимальное напряжение, которое может выдерживать MOSFET без повреждения.
    • 20А: Максимальный ток, который может передавать MOSFET.
    • LPTS (Low Power Trench Stacked): Технология, обеспечивающая низкое энергопотребление и улучшенную эффективность.
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность.
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии.
    • Уменьшение потерь энергии благодаря технологии LPTS.
    • Малый размер и легкость в интеграции.
  • Минусы:
    • Требует точной регулировки рабочих условий.
    • Могут возникать проблемы с термическим управлением при высоких нагрузках.
    • Не подходит для всех типов применений из-за ограничений по напряжению и току.
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления токами.
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии и других устройствах, требующих точного управления током.
    • Подходит для применения в автомобильных системах и промышленном оборудовании.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания.
    • Преобразователи энергии.
    • Автомобильные системы.
    • Промышленное оборудование.
    • Электронные устройства с высокими требованиями к управляемости тока.
Выбрано: Показать

Характеристики R6020JNJGTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    234mOhm @ 10A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    7V @ 3.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1500 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    252W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LPTS
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    R6020

Техническая документация

 R6020JNJGTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    R6520ENJTLMOSFET N-CH 650V 20A LPTS
    456Кешбэк 68 баллов
    RD3L220SNFRATLMOSFET N-CH 60V 22A TO252
    458Кешбэк 68 баллов
    R6009JNJGTLMOSFET N-CH 600V 9A LPTS
    472Кешбэк 70 баллов
    R6011KND3TL1MOSFET N-CH 600V 11A TO252
    483Кешбэк 72 балла
    R6011KNXMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
    492Кешбэк 73 балла
    R6012JNJGTLMOSFET N-CH 600V 12A LPTS
    505Кешбэк 75 баллов
    R6511END3TL1650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
    525Кешбэк 78 баллов
    R6004KNJTLMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
    555Кешбэк 83 балла
    R6020JNJGTLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    606Кешбэк 90 баллов
    R8002CND3FRATLMOSFET N-CH 800V 2A TO252
    624Кешбэк 93 балла
    R8007AND3FRATLMOSFET N-CH 800V 7A TO252
    688Кешбэк 103 балла
    R8006KNXC7GHIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
    710Кешбэк 106 баллов
    R6020KNJTLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    719Кешбэк 107 баллов
    R6511KNJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS
    807Кешбэк 121 балл
    RJ1P12BBDTLLMOSFET N-CH 100V 120A LPTL
    853Кешбэк 127 баллов
    R6520ENZ4C13650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
    862Кешбэк 129 баллов
    R6511ENJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS
    935Кешбэк 140 баллов
    R6020ENZ4C13MOSFET N-CH 600V 20A TO247
    1 021Кешбэк 153 балла
    R6020PNJFRATLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    1 281Кешбэк 192 балла
    R6070JNZ4C13600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
    1 503Кешбэк 225 баллов
    SCT2450KEHRC111200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 539Кешбэк 380 баллов
    R6076KNZ4C13MOSFET N-CH 600V 76A TO247
    3 174Кешбэк 476 баллов
    SCT4026DW7HRTL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
    3 319Кешбэк 497 баллов
    SCT3080ARC14SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
    3 595Кешбэк 539 баллов
    SCT2160KEHRC111200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
    4 053Кешбэк 607 баллов
    SCT3030ARC14SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
    5 920Кешбэк 888 баллов
    BSM300C12P3E201SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
    101 439Кешбэк 15 215 баллов
    BSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
    101 520Кешбэк 15 228 баллов
    BSM180C12P3C202SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
    111 977Кешбэк 16 796 баллов
    BSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
    234 079Кешбэк 35 111 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП