Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранители
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
R6024KNZ4C13
  • В избранное
  • В сравнение
R6024KNZ4C13

R6024KNZ4C13

R6024KNZ4C13
;
R6024KNZ4C13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    R6024KNZ4C13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 24A TO247Все характеристики

Минимальная цена R6024KNZ4C13 при покупке от 1 шт 790.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6024KNZ4C13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6024KNZ4C13

Размеры и описание:

  • Маркировка: R6024KNZ4C13
  • Производитель: ROHM Semiconductor
  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Номинальный ток: 24А
  • Комплектация: TO247

Основные параметры:

  • VGS(th): 2.5 В (максимальное значение)
  • RDS(on): 25 мО (максимальное значение при 25°C)
  • QG: 38 нКл
  • TCASE(max): 150°C
  • QCK: 0.2 мКл (транзисторная емкость)

Плюсы:

  • Высокая надежность: благодаря использованию передовых технологий производства от ROHM Semiconductor.
  • Малый ток утечки: обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Малые потери: при работе обеспечивают минимальное тепловыделение.
  • Устойчивость к перегреву: способен выдерживать высокие температуры.

Минусы:

  • Высокая стоимость: по сравнению с другими типами MOSFET.
  • Требует дополнительного охлаждения: при высоких нагрузках может потребоваться специальное охлаждение.
  • Нуждается в правильной установке: неправильная установка может привести к снижению эффективности или повреждению.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах: такие как источники питания, инверторы, преобразователи.
  • Регулирование напряжения: в системах управления мощностью.
  • Автоматизация: в различных системах автоматизации и контроля.

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания: для преобразования и регулирования напряжения.
  • Преобразователи: для преобразования переменного напряжения в постоянное.
  • Инверторы: для преобразования постоянного напряжения в переменное.
  • Системы управления: для контроля и управления электрическими цепями.
Выбрано: Показать

Характеристики R6024KNZ4C13

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    24A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165mOhm @ 11.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    245W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    R6024

Техническая документация

 R6024KNZ4C13.pdf
pdf. 0 kb
  • 267 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    790 ₽
  • 30
    436 ₽
  • 120
    358 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    R6024KNZ4C13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 24A TO247Все характеристики

Минимальная цена R6024KNZ4C13 при покупке от 1 шт 790.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R6024KNZ4C13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R6024KNZ4C13

Размеры и описание:

  • Маркировка: R6024KNZ4C13
  • Производитель: ROHM Semiconductor
  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Номинальный ток: 24А
  • Комплектация: TO247

Основные параметры:

  • VGS(th): 2.5 В (максимальное значение)
  • RDS(on): 25 мО (максимальное значение при 25°C)
  • QG: 38 нКл
  • TCASE(max): 150°C
  • QCK: 0.2 мКл (транзисторная емкость)

Плюсы:

  • Высокая надежность: благодаря использованию передовых технологий производства от ROHM Semiconductor.
  • Малый ток утечки: обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Малые потери: при работе обеспечивают минимальное тепловыделение.
  • Устойчивость к перегреву: способен выдерживать высокие температуры.

Минусы:

  • Высокая стоимость: по сравнению с другими типами MOSFET.
  • Требует дополнительного охлаждения: при высоких нагрузках может потребоваться специальное охлаждение.
  • Нуждается в правильной установке: неправильная установка может привести к снижению эффективности или повреждению.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах: такие как источники питания, инверторы, преобразователи.
  • Регулирование напряжения: в системах управления мощностью.
  • Автоматизация: в различных системах автоматизации и контроля.

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания: для преобразования и регулирования напряжения.
  • Преобразователи: для преобразования переменного напряжения в постоянное.
  • Инверторы: для преобразования постоянного напряжения в переменное.
  • Системы управления: для контроля и управления электрическими цепями.
Выбрано: Показать

Характеристики R6024KNZ4C13

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    24A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165mOhm @ 11.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    245W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    R6024

Техническая документация

 R6024KNZ4C13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD17556Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    629Кешбэк 94 балла
    TPIC5424LDWN-CHANNEL POWER MOSFET
    429Кешбэк 64 балла
    CSD18504Q5ATТранзистор: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
    480Кешбэк 72 балла
    CSD16340Q3TMOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
    396Кешбэк 59 баллов
    CSD18510Q5BTMOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
    747Кешбэк 112 баллов
    CSD16401Q5TMOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
    556Кешбэк 83 балла
    CSD18511KTTMOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
    450Кешбэк 67 баллов
    CSD17559Q5TMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    704Кешбэк 105 баллов
    CSD17576Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    157Кешбэк 23 балла
    CSD16321Q5T25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
    375Кешбэк 56 баллов
    CSD19538Q3AMOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
    185Кешбэк 27 баллов
    TPIC2322LDSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    297Кешбэк 44 балла
    CSD18511KCSMOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
    416Кешбэк 62 балла
    TPIC5621LDWN-CHANNEL POWER MOSFET
    429Кешбэк 64 балла
    CSD17581Q5AMOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
    177Кешбэк 26 баллов
    CSD25501F3MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
    71Кешбэк 10 баллов
    CSD16415Q5TMOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
    760Кешбэк 114 баллов
    CSD18510KTTMOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
    560Кешбэк 84 балла
    CSD18543Q3ATТранзистор: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
    314Кешбэк 47 баллов
    CSD18510KTTTMOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
    743Кешбэк 111 баллов
    CSD22206WTMOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
    357Кешбэк 53 балла
    CSD19533Q5ATMOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
    403Кешбэк 60 баллов
    CSD18503Q5ATMOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
    472Кешбэк 70 баллов
    CSD19538Q3ATMOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
    97Кешбэк 14 баллов
    SI2312-TPMOSFET N-CH 20V 5A SOT23
    78Кешбэк 11 баллов
    SI2324A-TPMOSFET N-CH 100V 2A SOT23
    78Кешбэк 11 баллов
    SI2310B-TPMOSFET N-CH 60V 3A SOT23
    62Кешбэк 9 баллов
    MCTL300N10Y-TPMOSFET N-CH 100V 300A TOLL-8L
    1 365Кешбэк 204 балла
    MCB130N10Y-TPMOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
    541Кешбэк 81 балл
    MCQ05P10Y-TPP-CHANNEL MOSFET, SOP-8
    220Кешбэк 33 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП