Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
RB168VWM100TFTR
  • В избранное
  • В сравнение
RB168VWM100TFTR

RB168VWM100TFTR

RB168VWM100TFTR
;
RB168VWM100TFTR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RB168VWM100TFTR
  • Описание:
    100V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LOВсе характеристики

Минимальная цена RB168VWM100TFTR при покупке от 1 шт 132.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RB168VWM100TFTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RB168VWM100TFTR

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Описание: Маркировка RB168VWM100TFTR указывает на транзистор ROHM Semiconductor.
    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 100В
      • Максимальный ток: 1А
      • Тип: SINGLE (одиночный)
      • Производительность: PMDE (Power Metal-Oxide-Semiconductor Double-Enhancement)
      • Технология: ULTRA LO (ультра низкое сопротивление)
    • Плюсы:
      • Высокая надежность и стабильность работы
      • Ультра низкое сопротивление обеспечивает эффективное использование энергии
      • Повышенная мощность для широкого диапазона применений
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
      • Требует более сложного проектирования платы из-за высоких напряжений и токов
    • Общее назначение: Используется в различных приборах и устройствах, требующих высокой мощности и надежности, таких как источники питания, преобразователи напряжения, инверторы и другие электронные системы.
    • Применение:
      • Источники питания
      • Преобразователи напряжения
      • Инверторы
      • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики RB168VWM100TFTR

  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    840 mV @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    300 nA @ 100 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    PMDE
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C

Техническая документация

 RB168VWM100TFTR.pdf
pdf. 0 kb
  • 4922 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    132 ₽
  • 100
    52 ₽
  • 1000
    37 ₽
  • 6000
    26.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RB168VWM100TFTR
  • Описание:
    100V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LOВсе характеристики

Минимальная цена RB168VWM100TFTR при покупке от 1 шт 132.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RB168VWM100TFTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RB168VWM100TFTR

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Описание: Маркировка RB168VWM100TFTR указывает на транзистор ROHM Semiconductor.
    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 100В
      • Максимальный ток: 1А
      • Тип: SINGLE (одиночный)
      • Производительность: PMDE (Power Metal-Oxide-Semiconductor Double-Enhancement)
      • Технология: ULTRA LO (ультра низкое сопротивление)
    • Плюсы:
      • Высокая надежность и стабильность работы
      • Ультра низкое сопротивление обеспечивает эффективное использование энергии
      • Повышенная мощность для широкого диапазона применений
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
      • Требует более сложного проектирования платы из-за высоких напряжений и токов
    • Общее назначение: Используется в различных приборах и устройствах, требующих высокой мощности и надежности, таких как источники питания, преобразователи напряжения, инверторы и другие электронные системы.
    • Применение:
      • Источники питания
      • Преобразователи напряжения
      • Инверторы
      • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики RB168VWM100TFTR

  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    840 mV @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    300 nA @ 100 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    PMDE
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C

Техническая документация

 RB168VWM100TFTR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB088LAM-30TRSUPER LOW IR, 30V, 5A, SOD-128,
    104Кешбэк 15 баллов
    BAT54HYFHT11630V, 200MA, SOT-23, SINGLE, SCHO
    111Кешбэк 16 баллов
    RBR2MM40BTFTRДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 40V-VR 2A-
    82Кешбэк 12 баллов
    RBR1LAM40ATRDIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDTM
    104Кешбэк 15 баллов
    RB168VAM-30TRSUPER LOW IR, 30V, 1A, SOD-323HE
    76Кешбэк 11 баллов
    RB088LAM100TRДиод: SUPER LOW IR, 100V, 5A, SOD-128,
    165Кешбэк 24 балла
    RB168MM150TFTRДиод: RB168MM150TF IS THE HIGH RELIABI
    102Кешбэк 15 баллов
    RB500SM-30T2R30V, 100MA, SOD-523, SCHOTTKY BA
    56Кешбэк 8 баллов
    RBR3LAM30BTFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    104Кешбэк 15 баллов
    RB510SM-40FHT2RДиод: RB510SM-40FH IS LOW V F
    31.5Кешбэк 4 балла
    RBR1MM30ATFTRДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 1A-
    67Кешбэк 10 баллов
    RB168VWM100TFTR100V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    132Кешбэк 19 баллов
    RBS2MM40CTRRBS2LAM40C IS SUPER LOW VF
    107Кешбэк 16 баллов
    RB078BM30SFHTLRB078BM30SFH IS LOW SUB AND HIGH
    302Кешбэк 45 баллов
    RBS2MM40BTRRBS2MM40B IS SUPER LOW VF</
    100Кешбэк 15 баллов
    BAS40HYFHT11640V, 120MA, SOT-23, SINGLE, SCHO
    106Кешбэк 15 баллов
    RB058LAM150TRДиод: DIODE SCHOTTKY 150V 3A PMDTM
    98Кешбэк 14 баллов
    RB068MM100TRДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 2A PMDU
    93Кешбэк 13 баллов
    RBR3LAM40CTRДиод: RBR3LAM40C IS LOW VF
    120Кешбэк 18 баллов
    RB068MM-30TFTRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU
    107Кешбэк 16 баллов
    RR268MM-600TRDIODE GEN PURP 600V 1A PMDU
    70Кешбэк 10 баллов
    RB531SM-40FHT2RДиод: RB531SM-40FH IS THE HIGH RELIABI
    33.3Кешбэк 4 балла
    RB068VWM100TR100V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    109Кешбэк 16 баллов
    RB168VAM-60TRДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE
    67Кешбэк 10 баллов
    RBR5LAM30ATFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    132Кешбэк 19 баллов
    RB088LAM-40TFTRSUPER LOW IR, 40V, 5A, SOD-128,
    176Кешбэк 26 баллов
    RB160MM-30TFTRRB160MM-30TF IS THE HIGH RELIABI
    106Кешбэк 15 баллов
    RB168VYM150FHTRДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
    145Кешбэк 21 балл
    SCS320AMCДиод: DIODES SILICON CARBIDE
    1 921Кешбэк 288 баллов
    DAN217FHT146DIODE SWITCHING 80V 0.3A 3-PIN.
    78Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП