RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
onsemi
Артикул:
RFD12N06RLESM9A
Описание:
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена RFD12N06RLESM9A при покупке от 1 шт 214.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RFD12N06RLESM9A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A от On Semiconductor - MOSFET N-канальный с напряжением разрыва 60В и током стока 18А, корпус TO252AA.

Основные параметры:

Напряжение разрыва (V_DS(on)): 60В
Ток стока (I_D): 18А
Тип: N-канальный
Корпус: TO252AA

Плюсы:

Высокая надежность и долговечность
Малый ток утечки при отключенном канале
Устойчивость к электрическим шумам
Низкий ток проводимости при отключенном состоянии

Минусы:

Высокие потери при работе в режиме регулирования
Необходимо учитывать термический дизайн для эффективной теплоотдачи

Общее назначение:

Применяется в системах управления силами
Используется в преобразователях мощности
Входит в состав регуляторов напряжения
Реализует функции включения и выключения в электронных устройствах

В каких устройствах применяется:

Автомобильные системы питания и управления
Электропитание и преобразователи для бытовой техники
Системы управления двигателями
Промышленное оборудование и автоматизация

Техническая документация