Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGS80TSX2DHRC11
RGS80TSX2DHRC11

RGS80TSX2DHRC11

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGS80TSX2DHRC11
  • Описание:
    Транзистор: 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGS80TSX2DHRC11 при покупке от 1 шт 2683.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGS80TSX2DHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RGS80TSX2DHRC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    555 W
  • Энергия переключения
    3mJ (on), 3.1mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    104 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    49ns/199ns
  • Условие испытаний
    600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    198 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Base Product Number
    RGS80
Техническая документация
 RGS80TSX2DHRC11.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1314 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 683 ₽
  • 30
    1 634 ₽
  • 120
    1 404 ₽
  • 510
    1 369 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RGS80TSX2DHRC11
  • Описание:
    Транзистор: 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGS80TSX2DHRC11 при покупке от 1 шт 2683.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGS80TSX2DHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RGS80TSX2DHRC11

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    555 W
  • Энергия переключения
    3mJ (on), 3.1mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    104 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    49ns/199ns
  • Условие испытаний
    600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    198 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Base Product Number
    RGS80
Техническая документация
 RGS80TSX2DHRC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXYH55N120A4Транзистор: IGBT GENX4 1200V 55A TO247
    RGS60TS65HRC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
    IGP20N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 42A TO220-3
    IXYH30N170CТранзистор: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    RGW80TK65GVC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    IKD15N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3
    IKQ50N120CT2XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 100A TO247-3-46
    FGY60T120SQDNТранзистор: IGBT 1200V 60A UFS
    IKD06N60RATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
    IXYP60N65A5Транзистор: IGBT 650V 60A X5 XPT TO-220
    RGTVX2TS65GC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    IHW30N110R5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH
    HGTP15N40E1Транзистор: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    IKB20N65EH5ATMA1Транзистор: INDUSTRY 14
    HGTG34N100E2Транзистор: 55A, 1000V N-CHANNEL IGBT
    IHW30N135R5XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14
    RJH60T3DPK-M0#T2Транзистор: IGBT
    IKW08T120FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 16A TO247-3
    FGB3236-F085IGBT, 360V, 27A, ECOSPARK II, N-
    STGB30H60DLLFBAGТранзистор: IGBT
    IXYX120N120B3Транзистор: IGBT
    IKA10N65ET6XKSA2Транзистор: IGBT 650V 15A TO220-3
    HGT1S12N60B3DТранзистор: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    IXYX50N170CТранзистор: IGBT 1700V 178A PLUS247
    DGTD120T25S1PTТранзистор: IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
    HGT1S7N60C3DТранзистор: IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
    IXYX140N120A4Транзистор: IGBT 140A 1200V PLUS247
    IGD06N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 12A 88W TO252-3

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП