Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
RGT8NL65DGTL
  • В избранное
  • В сравнение
RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL
;
RGT8NL65DGTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGT8NL65DGTL
  • Описание:
    Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGT8NL65DGTL при покупке от 1 шт 478.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT8NL65DGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 800 В
    • Максимальная токовая способность: 12 А
    • Частота работы: до 10 кГц
    • Температурный диапазон работы: от -40°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме PWM
    • Улучшенная термическая стабильность благодаря технологии Field Stop Trench
    • Меньшее количество искажений сигнала благодаря конструкции транзистора
    • Низкий уровень шума электромагнитного излучения (EMI)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными IGBT-транзисторами
    • Требует более сложной системы охлаждения из-за большей теплопроизводительности
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • Применение в системах управления двигателем
    • Работа в инверторах для промышленного оборудования
    • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи
    • Системы управления переменным током
    • Инверторы для бытовых приборов
    • Оборудование для обработки материалов
Выбрано: Показать

Характеристики RGT8NL65DGTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    12 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • Рассеивание мощности
    65 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    13.5 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    17ns/69ns
  • Условие испытаний
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    40 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    LPDS
  • Base Product Number
    RGT8NL65

Техническая документация

 RGT8NL65DGTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 982 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    478 ₽
  • 10
    298 ₽
  • 100
    224 ₽
  • 500
    193 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RGT8NL65DGTL
  • Описание:
    Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGT8NL65DGTL при покупке от 1 шт 478.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT8NL65DGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 800 В
    • Максимальная токовая способность: 12 А
    • Частота работы: до 10 кГц
    • Температурный диапазон работы: от -40°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме PWM
    • Улучшенная термическая стабильность благодаря технологии Field Stop Trench
    • Меньшее количество искажений сигнала благодаря конструкции транзистора
    • Низкий уровень шума электромагнитного излучения (EMI)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными IGBT-транзисторами
    • Требует более сложной системы охлаждения из-за большей теплопроизводительности
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • Применение в системах управления двигателем
    • Работа в инверторах для промышленного оборудования
    • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи
    • Системы управления переменным током
    • Инверторы для бытовых приборов
    • Оборудование для обработки материалов
Выбрано: Показать

Характеристики RGT8NL65DGTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    12 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • Рассеивание мощности
    65 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    13.5 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    17ns/69ns
  • Условие испытаний
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    40 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    LPDS
  • Base Product Number
    RGT8NL65

Техническая документация

 RGT8NL65DGTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKW50N60TAFKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    928Кешбэк 139 баллов
    IKD15N60RATMA1Транзистор: IGBT 600V 30A TO252-3
    352Кешбэк 52 балла
    IHFW40N65R5SXKSA1Транзистор: IHFW40N65R5SXKSA1
    628Кешбэк 94 балла
    IGD06N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 12A 88W TO252-3
    207Кешбэк 31 балл
    IKP20N60TXKSA1Транзистор: IGBT 600V 40A 166W TO220-3
    504Кешбэк 75 баллов
    IKN06N60RC2ATMA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
    195Кешбэк 29 баллов
    IKD06N65ET6ARMA1Транзистор: IKD06N65ET6ARMA1
    508Кешбэк 76 баллов
    IRG4BC30SPBF-INFТранзистор: IGBT, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N
    296Кешбэк 44 балла
    IKD06N60RC2ATMA1Транзистор: IKD06N60RC2ATMA1
    226Кешбэк 33 балла
    IKD04N60RATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 8A TO252-3
    215Кешбэк 32 балла
    IKN04N60RC2ATMA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
    130Кешбэк 19 баллов
    IKD04N60RC2ATMA1Транзистор: IKD04N60RC2ATMA1
    183Кешбэк 27 баллов
    IKW15N120BH6XKSA1Транзистор: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
    624Кешбэк 93 балла
    IKD10N60RC2ATMA1Транзистор: IKD10N60RC2ATMA1
    261Кешбэк 39 баллов
    IKD08N65ET6ARMA1Транзистор: IKD08N65ET6ARMA1
    606Кешбэк 90 баллов
    AIKB40N65DH5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    828Кешбэк 124 балла
    IGB10N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 20A 110W TO263-3
    263Кешбэк 39 баллов
    IKW50N120CS7XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
    1 073Кешбэк 160 баллов
    IKD10N60RATMA1Транзистор: IGBT 600V 20A TO252-3
    219Кешбэк 32 балла
    IKD10N60RFATMA1Транзистор: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
    324Кешбэк 48 баллов
    IKD06N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
    265Кешбэк 39 баллов
    IKD15N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3
    389Кешбэк 58 баллов
    IKB30N65EH5ATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK
    685Кешбэк 102 балла
    IRGB15B60KDPBF-INFТранзистор: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
    448Кешбэк 67 баллов
    AIGB50N65H5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    1 104Кешбэк 165 баллов
    IKD04N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
    232Кешбэк 34 балла
    IGB50N65S5ATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3
    647Кешбэк 97 баллов
    IKW08N120CS7XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
    795Кешбэк 119 баллов
    IKB40N65EF5ATMA1Транзистор: 40A 650V TRENCHSTOP5 ULTRA FAST
    739Кешбэк 110 баллов
    IKN03N60RC2ATMA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
    165Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП