Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT транзисторы
RGT8NL65DGTL
  • В избранное
  • В сравнение
RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL
;
RGT8NL65DGTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    RGT8NL65DGTL
  • Описание:
    Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGT8NL65DGTL при покупке от 1 шт 419.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT8NL65DGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 800 В
    • Максимальная токовая способность: 12 А
    • Частота работы: до 10 кГц
    • Температурный диапазон работы: от -40°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме PWM
    • Улучшенная термическая стабильность благодаря технологии Field Stop Trench
    • Меньшее количество искажений сигнала благодаря конструкции транзистора
    • Низкий уровень шума электромагнитного излучения (EMI)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными IGBT-транзисторами
    • Требует более сложной системы охлаждения из-за большей теплопроизводительности
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • Применение в системах управления двигателем
    • Работа в инверторах для промышленного оборудования
    • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи
    • Системы управления переменным током
    • Инверторы для бытовых приборов
    • Оборудование для обработки материалов
Выбрано: Показать

Характеристики RGT8NL65DGTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    12 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • Рассеивание мощности
    65 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    13.5 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    17ns/69ns
  • Условие испытаний
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    40 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    LPDS
  • Base Product Number
    RGT8NL65

Техническая документация

 RGT8NL65DGTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 63 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    419 ₽
  • 10
    260 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    RGT8NL65DGTL
  • Описание:
    Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBTВсе характеристики

Минимальная цена RGT8NL65DGTL при покупке от 1 шт 419.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RGT8NL65DGTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 800 В
    • Максимальная токовая способность: 12 А
    • Частота работы: до 10 кГц
    • Температурный диапазон работы: от -40°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме PWM
    • Улучшенная термическая стабильность благодаря технологии Field Stop Trench
    • Меньшее количество искажений сигнала благодаря конструкции транзистора
    • Низкий уровень шума электромагнитного излучения (EMI)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными IGBT-транзисторами
    • Требует более сложной системы охлаждения из-за большей теплопроизводительности
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • Применение в системах управления двигателем
    • Работа в инверторах для промышленного оборудования
    • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи
    • Системы управления переменным током
    • Инверторы для бытовых приборов
    • Оборудование для обработки материалов
Выбрано: Показать

Характеристики RGT8NL65DGTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    12 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • Рассеивание мощности
    65 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    13.5 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    17ns/69ns
  • Условие испытаний
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    40 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    LPDS
  • Base Product Number
    RGT8NL65

Техническая документация

 RGT8NL65DGTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IHW30N65R6XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3
    687Кешбэк 103 балла
    IKB30N65EH5ATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK
    704Кешбэк 105 баллов
    IGW30N60TFKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
    832Кешбэк 124 балла
    AIKB40N65DH5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    850Кешбэк 127 баллов
    IGW15N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 30A 217W TO247-3
    850Кешбэк 127 баллов
    AIKB50N65DH5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    969Кешбэк 145 баллов
    IGW50N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3
    989Кешбэк 148 баллов
    AIKB50N65DF5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    1 000Кешбэк 150 баллов
    IKZA40N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 055Кешбэк 158 баллов
    AIKW30N60CTXKSA1Транзистор: IC DISCRETE 600V TO247-3
    1 128Кешбэк 169 баллов
    AIGW50N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    1 179Кешбэк 176 баллов
    IKW40N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 225Кешбэк 183 балла
    IKW40N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
    1 241Кешбэк 186 баллов
    IKW50N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 336Кешбэк 200 баллов
    IGW75N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 140A TO247-3
    1 415Кешбэк 212 баллов
    IKY40N120CH3XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 80A TO247-4
    1 466Кешбэк 219 баллов
    IKW50N65SS5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 806Кешбэк 270 баллов
    IKFW90N60EH3XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 888Кешбэк 283 балла
    RGT8NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    419Кешбэк 62 балла
    RGT20TM65DGC9Транзистор: 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    472Кешбэк 70 баллов
    RGPR20NS43HRTLТранзистор: 430V 20A IGNITION IGBT
    508Кешбэк 76 баллов
    RGTH40TK65GC11Транзистор: IGBT
    517Кешбэк 77 баллов
    RGTV80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    532Кешбэк 79 баллов
    RGCL80TS60GC11Транзистор: IGBT
    547Кешбэк 82 балла
    RGT20NL65GTLТранзистор: 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    574Кешбэк 86 баллов
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    587Кешбэк 88 баллов
    RGW40TS65DGC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    605Кешбэк 90 баллов
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    620Кешбэк 93 балла
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    691Кешбэк 103 балла
    RGW50TK65DGVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    695Кешбэк 104 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП