RJK03P7DPA-00#J5A

RJK03P7DPA-00J5A Renesas Electronics Corporation Транзистор: POWER, N-CHANNEL MOSFET

• Основные параметры:
• Vds (Разрывное напряжение): 700 В
• Ig (Потребляемый ток при отключенном входе): ≤ 100 нА
• Rds(on) (Сопротивление на проводимости в режиме провода): ≤ 29 мО (при Vgs = 10 В)
• Vgs(th) (Напряжение смещения на входе): 2.5 В (максимальное)
• Плюсы:
• Высокое разрывное напряжение до 700 В
• Низкое потребление тока при отключенном входе
• Малое сопротивление на проводимости
• Стабильная работа даже при высоких температурах
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
• Требуют дополнительного охлаждения при работе под нагрузкой
• Общее назначение:
• Использование в системах управления двигателей
• В промышленных устройствах для управления мощностью
• В источниках питания и преобразователях
• Для управления мощными электрическими цепями
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленные преобразователи и источники питания
• Мощные инверторы и преобразователи
• Устройства управления мощностью в бытовой технике