Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RJK1001DPN-E0#T2

RJK1001DPN-E0#T2

RJK1001DPN-E0#T2
;
RJK1001DPN-E0#T2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RJK1001DPN-E0#T2 при покупке от 83 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK1001DPN-E0#T2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJK1001DPN-E0#T2

RJK1001DPN-E0T2 Renesas Electronics Corporation MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) с ненаправленным каналом (N-Channel). Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая мощность и быстрота переключения.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного состояния (VDS(on)): 100В
    • Размер тока (ID): 80А
    • Тип канала: N-Channel
    • Объемный транзистор (TO220AB): Монтажный корпус
  • Плюсы:
    • Высокая способность к переносу тока (80А).
    • Высокое напряжение включенного состояния (100В).
    • Быстрое переключение.
    • Стабильная работа при различных температурах.
    • Малый размер и легкий монтаж.
  • Минусы:
    • Высокие потери энергии при работе.
    • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева.
    • Требует точного подбора компонентов для обеспечения надежной работы.
  • Общее назначение:
    • Переключение больших токов в электрических цепях.
    • Управление мощностью в системах управления.
    • Регулирование напряжения.
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления.
    • Системы питания и преобразования напряжения.
    • Электронные устройства потребления большого тока.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Мощные источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики RJK1001DPN-E0#T2

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5mOhm @ 40A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    147 nC @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • по запросу
Минимально и кратно 83 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RJK1001DPN-E0#T2 при покупке от 83 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK1001DPN-E0#T2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJK1001DPN-E0#T2

RJK1001DPN-E0T2 Renesas Electronics Corporation MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) с ненаправленным каналом (N-Channel). Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая мощность и быстрота переключения.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного состояния (VDS(on)): 100В
    • Размер тока (ID): 80А
    • Тип канала: N-Channel
    • Объемный транзистор (TO220AB): Монтажный корпус
  • Плюсы:
    • Высокая способность к переносу тока (80А).
    • Высокое напряжение включенного состояния (100В).
    • Быстрое переключение.
    • Стабильная работа при различных температурах.
    • Малый размер и легкий монтаж.
  • Минусы:
    • Высокие потери энергии при работе.
    • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева.
    • Требует точного подбора компонентов для обеспечения надежной работы.
  • Общее назначение:
    • Переключение больших токов в электрических цепях.
    • Управление мощностью в системах управления.
    • Регулирование напряжения.
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления.
    • Системы питания и преобразования напряжения.
    • Электронные устройства потребления большого тока.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Мощные источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики RJK1001DPN-E0#T2

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5mOhm @ 40A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    147 nC @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 83 шт