RJP63F3DPP-Z0#T2

RJP63F3DPP-Z0#T2 Renesas Electronics Corporation Транзистор: N CH IGBT

• Основные параметры:
  • Тип: N-канальный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Мощность: 63A
  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Предел частоты: до 20 кГц
• Плюсы:
  • Высокая эффективность при работе в режиме волны
  • Простота управления благодаря индуктивному гейт-контакту
  • Высокий коэффициент передачи
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
• Минусы:
  • Высокие потери при включении и выключении
  • Требуется дополнительное охлаждение
  • Сложность в выборе параметров при использовании в высокочастотных системах
• Общее назначение:
  • Контроль мощности в промышленных и бытовых приборах
  • Регулирование скорости в приводах
  • Электронные системы управления
  • Инверторы для преобразования напряжения
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленные приводы
  • Энергосберегающие системы
  • Системы управления для бытовой техники