Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RMB2S-E3/80

RMB2S-E3/80

RMB2S-E3/80
;
RMB2S-E3/80

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RMB2S-E3/80 при покупке от 1 шт 261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RMB2S-E3/80 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RMB2S-E3/80

RMB2S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA

  • Основные параметры:
    • Тип: мостовой диод
    • Количество каналов: 3
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Объемный корпус: TO-269AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Прочная конструкция корпуса
  • Минусы:
    • Большой размер по сравнению с другими типами корпусов
    • Высокая тепловая индуктивность
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Сглаживание пульсаций в системах с переменным током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Переносные зарядные устройства
    • Питание электронных устройств
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики RMB2S-E3/80

Техническая документация

RMB2S-E3/80.pdf
pdf. 0 kb
  • 3435 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    261 ₽
  • 10
    164 ₽
  • 500
    85 ₽
  • 3000
    62 ₽
  • 9000
    60 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RMB2S-E3/80 при покупке от 1 шт 261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RMB2S-E3/80 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RMB2S-E3/80

RMB2S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA

  • Основные параметры:
    • Тип: мостовой диод
    • Количество каналов: 3
    • Номинальное напряжение: 200В
    • Объемный корпус: TO-269AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Прочная конструкция корпуса
  • Минусы:
    • Большой размер по сравнению с другими типами корпусов
    • Высокая тепловая индуктивность
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Сглаживание пульсаций в системах с переменным током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Переносные зарядные устройства
    • Питание электронных устройств
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики RMB2S-E3/80

Техническая документация

RMB2S-E3/80.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории