Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
RN1102MFV,L3XHF(CT
  • В избранное
  • В сравнение
RN1102MFV,L3XHF(CT

RN1102MFV,L3XHF(CT

RN1102MFV,L3XHF(CT
;
RN1102MFV,L3XHF(CT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1102MFV,L3XHF(CT
  • Описание:
    Транзистор: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=Все характеристики

Минимальная цена RN1102MFV,L3XHF(CT при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1102MFV,L3XHF(CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1102MFV,L3XHF(CT

Размеры и описание:

  • Маркировка: RN1102MFV, L3XHF(CT)

  • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage

  • Тип: Транзистор NPN

  • Описание: AUTO AEC-Q

Основные параметры:

  • Q1BSR (Beta DC max): 10К

  • Q1BER (Beta DC min): 0.1

Плюсы:

  • Высокая надежность: Сертифицирован по стандарту AEC-Q.

  • Устойчивость к перенапряжению: Высокое значение Beta DC.

  • Прочность: Выдерживает высокие температурные колебания.

Минусы:

  • Высокий ток разряда: Могут быть ограничения при работе с высокими токами.

  • Затраты на производство: Может быть выше по сравнению с менее качественными аналогами.

Общее назначение:

  • Управление нагрузками в электронных устройствах.

  • Увеличение тока в цепях.

  • Переключение и усиление сигналов.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.

  • Системы управления двигателем.

  • Игровые консоли.

  • Приборы измерения.

  • Системы безопасности.

Выбрано: Показать

Характеристики RN1102MFV,L3XHF(CT

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM

Техническая документация

 RN1102MFV,L3XHF(CT.pdf
pdf. 0 kb
  • 6045 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    50 ₽
  • 100
    19 ₽
  • 1000
    12.2 ₽
  • 5000
    9.4 ₽
  • 24000
    6.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1102MFV,L3XHF(CT
  • Описание:
    Транзистор: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=Все характеристики

Минимальная цена RN1102MFV,L3XHF(CT при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1102MFV,L3XHF(CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1102MFV,L3XHF(CT

Размеры и описание:

  • Маркировка: RN1102MFV, L3XHF(CT)

  • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage

  • Тип: Транзистор NPN

  • Описание: AUTO AEC-Q

Основные параметры:

  • Q1BSR (Beta DC max): 10К

  • Q1BER (Beta DC min): 0.1

Плюсы:

  • Высокая надежность: Сертифицирован по стандарту AEC-Q.

  • Устойчивость к перенапряжению: Высокое значение Beta DC.

  • Прочность: Выдерживает высокие температурные колебания.

Минусы:

  • Высокий ток разряда: Могут быть ограничения при работе с высокими токами.

  • Затраты на производство: Может быть выше по сравнению с менее качественными аналогами.

Общее назначение:

  • Управление нагрузками в электронных устройствах.

  • Увеличение тока в цепях.

  • Переключение и усиление сигналов.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.

  • Системы управления двигателем.

  • Игровые консоли.

  • Приборы измерения.

  • Системы безопасности.

Выбрано: Показать

Характеристики RN1102MFV,L3XHF(CT

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM

Техническая документация

 RN1102MFV,L3XHF(CT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DDTC143ZCAQ-13-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
    37Кешбэк 5 баллов
    DDTC144ECAQ-13-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
    37Кешбэк 5 баллов
    DDTC114YCAQ-13-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
    63Кешбэк 9 баллов
    DDTC144EUAQ-13-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT323 T&R 10
    39Кешбэк 5 баллов
    ADTA143XUAQ-7Транзистор: PREBIASTRANSISTORSOT323
    41Кешбэк 6 баллов
    ADTC114YUAQ-7Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT323 T&R 3K
    41Кешбэк 6 баллов
    DDTC144EUAQ-7-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT323 T&R 3K
    39Кешбэк 5 баллов
    ADTC143ECAQ-13Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
    59Кешбэк 8 баллов
    ADTC114EUAQ-7Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT323
    35Кешбэк 5 баллов
    ADTC144ECAQ-7Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23
    59Кешбэк 8 баллов
    DDTC144ECAQ-7-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 3K
    37Кешбэк 5 баллов
    ADTA114EUAQ-7Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT323
    35Кешбэк 5 баллов
    ADTA114ECAQ-7Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 3K
    44.5Кешбэк 6 баллов
    DDTC143ZCAQ-7-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 3K
    46Кешбэк 6 баллов
    DDTC114EUAQ-7-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT323 T&R 3K
    39Кешбэк 5 баллов
    DDTC114ECAQ-13-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
    63Кешбэк 9 баллов
    ADTC143TUAQ-7Транзистор: PREBIASTRANSISTORSOT323
    41Кешбэк 6 баллов
    MMBTRC103SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    6Кешбэк 1 балл
    MMBTRA104SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    25.3Кешбэк 3 балла
    MMBTRA102SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    20.5Кешбэк 3 балла
    MMBTRC105SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    21.7Кешбэк 3 балла
    MMBTRA103SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    7.3Кешбэк 1 балл
    MMBTRC118SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    29.4Кешбэк 4 балла
    MMDT5212WDIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    8.3Кешбэк 1 балл
    MMDT5112WDIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    8.3Кешбэк 1 балл
    MMBTRC101SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    8.5Кешбэк 1 балл
    MMDT5213WDIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    8.3Кешбэк 1 балл
    MMDT5111WDIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    8.3Кешбэк 1 балл
    MMBTRC110SSТранзистор: DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
    8.5Кешбэк 1 балл
    MMDT5211WТранзистор: DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
    8.3Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП