Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
RN1104,LXHF(CT
  • В избранное
  • В сравнение
RN1104,LXHF(CT

RN1104,LXHF(CT

RN1104,LXHF(CT
;
RN1104,LXHF(CT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1104,LXHF(CT
  • Описание:
    Транзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,Все характеристики

Минимальная цена RN1104,LXHF(CT при покупке от 1 шт 55.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1104,LXHF(CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1104,LXHF(CT

Размеры и маркировка:

  • RN1104, LXHF(CT): Маркировка транзистора.

  • Производитель: Toshiba

Описание:

  • Транзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K — тип транзистора, который предназначен для применения в автономных системах, соответствует стандарту AEC-Q и является одиночным NPN-транзистором с коэффициентом усиления базы-эмиттера Q1BSR равным 47 К.

Основные параметры:

  • VCEO = 25 В — максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером при открытом базе.

  • ICM = 100 мА — максимально допустимый ток между коллектором и эмиттером при открытом базе.

  • Q1BSR = 47 К — коэффициент усиления базы-эмиттера.

  • Ptot = 600 мВт — общий тепловой потенциал.

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря стандарту AEC-Q.

  • Устойчивость к перегреву и износу.

  • Низкий коэффициент усиления, что обеспечивает стабильную работу.

  • Малый размер и легкость интеграции в разные устройства.

Минусы:

  • Низкий коэффициент усиления может ограничивать его применение в высокочастотных устройствах.

  • Ограниченная мощность, не подходит для высокопроизводительных устройств.

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах, где требуется умеренный уровень усиления сигнала.

  • Подходит для систем управления, датчиков, усилителей и других приложений.

Применение:

  • Автомобильные системы.

  • Электроника бытовой техники.

  • Инверторы и преобразователи.

  • Системы управления двигателем.

  • Датчики и сенсоры.

Выбрано: Показать

Характеристики RN1104,LXHF(CT

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SSM

Техническая документация

 RN1104,LXHF(CT.pdf
pdf. 0 kb
  • 11616 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    55 ₽
  • 100
    21.5 ₽
  • 1000
    14 ₽
  • 6000
    11 ₽
  • 24000
    8.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1104,LXHF(CT
  • Описание:
    Транзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,Все характеристики

Минимальная цена RN1104,LXHF(CT при покупке от 1 шт 55.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1104,LXHF(CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1104,LXHF(CT

Размеры и маркировка:

  • RN1104, LXHF(CT): Маркировка транзистора.

  • Производитель: Toshiba

Описание:

  • Транзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K — тип транзистора, который предназначен для применения в автономных системах, соответствует стандарту AEC-Q и является одиночным NPN-транзистором с коэффициентом усиления базы-эмиттера Q1BSR равным 47 К.

Основные параметры:

  • VCEO = 25 В — максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером при открытом базе.

  • ICM = 100 мА — максимально допустимый ток между коллектором и эмиттером при открытом базе.

  • Q1BSR = 47 К — коэффициент усиления базы-эмиттера.

  • Ptot = 600 мВт — общий тепловой потенциал.

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря стандарту AEC-Q.

  • Устойчивость к перегреву и износу.

  • Низкий коэффициент усиления, что обеспечивает стабильную работу.

  • Малый размер и легкость интеграции в разные устройства.

Минусы:

  • Низкий коэффициент усиления может ограничивать его применение в высокочастотных устройствах.

  • Ограниченная мощность, не подходит для высокопроизводительных устройств.

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах, где требуется умеренный уровень усиления сигнала.

  • Подходит для систем управления, датчиков, усилителей и других приложений.

Применение:

  • Автомобильные системы.

  • Электроника бытовой техники.

  • Инверторы и преобразователи.

  • Системы управления двигателем.

  • Датчики и сенсоры.

Выбрано: Показать

Характеристики RN1104,LXHF(CT

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SSM

Техническая документация

 RN1104,LXHF(CT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTC143EUA-TPТранзистор: NPN DIGITAL TRANSISTORSSOT-323
    44Кешбэк 6 баллов
    RN2406,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN2404,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN2102MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1418,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1303,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1107MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1101MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1417,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    30.4Кешбэк 4 балла
    RN1407,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    32Кешбэк 4 балла
    RN2106,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2104,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2105,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN1104,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2109,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2107MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN1116,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2106MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    34Кешбэк 5 баллов
    RN2401,LFТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
    36Кешбэк 5 баллов
    RN1405,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    36Кешбэк 5 баллов
    RN1304,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    36Кешбэк 5 баллов
    RN1108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN2103,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN2108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    38Кешбэк 5 баллов
    RN1102MFV,L3XHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=
    51Кешбэк 7 баллов
    RN1101MFV,L3XHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
    51Кешбэк 7 баллов
    RN1104,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
    55Кешбэк 8 баллов
    RN2102,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
    55Кешбэк 8 баллов
    RN1107,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,
    57Кешбэк 8 баллов
    RN1101,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K
    57Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП