RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Rohm Semiconductor
Артикул:
RQ3E080BNTB
Описание:
Транзистор: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMTВсе характеристики

Минимальная цена RQ3E080BNTB при покупке от 1 шт 107.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ3E080BNTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor Транзистор: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

Основные параметры:

V_DS (разрывное напряжение между дреном и сourse): 30В
I_D (максимальный ток дрен-сourse): 8А
Тип MOSFET: N-канальный
Пакет: 8HSMT

Плюсы:

Высокая скорость включения и выключения
Низкое сопротивление в ON-состоянии
Малый размер и легкость
Высокая надежность и долговечность

Минусы:

Наличие обратного диода может увеличивать площадь чипа
Требуется правильная защита от перегрева и переувлажнения

Общее назначение:

Управление токами в различных электронных устройствах
Регулирование напряжений
Изоляция сигналов

Применяется в:

Автомобильной электронике
Инверторах для бытовой техники
Переходниках питания
Стабилизаторах напряжения
Электронных устройствах для управления двигателем

Техническая документация