Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB
;
RQ3E100BNTB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RQ3E100BNTB при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ3E100BNTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB ROHM SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства ROHM Semiconductor. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VDS): 30 В
    • Номинальный ток пропускания (ID): 10 А
    • Тип поляризации: N-канальный
    • Пакет: 8HSMT
  • Преимущества:
    • Высокая эффективность: благодаря низкому коэффициенту сопротивления на проводимость.
    • Малый тепловыделение: способность эффективно управлять теплом.
    • Надежность: высокая стабильность при длительной эксплуатации.
  • Недостатки:
    • Уязвимость к электростатическому разряду (ESD): требует дополнительной защиты.
    • Сложность управления: нуждается в правильном выборе параметров генератора тока для обеспечения стабильной работы.
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление токами в различных электронных устройствах.
    • Переключение высоких токов с минимальным энергетическим потерь.
    • Ограничение максимального тока в цепях.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника (регуляторы напряжения, системы управления двигателем).
    • Электронасосные установки.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Промышленные контроллеры и автоматические системы.
    • Беспроводные устройства (Wi-Fi, Bluetooth).
Выбрано: Показать

Характеристики RQ3E100BNTB

Техническая документация

RQ3E100BNTB.pdf
pdf. 0 kb
  • 126 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    99 ₽
  • 100
    51 ₽
  • 1000
    34.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RQ3E100BNTB при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ3E100BNTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB ROHM SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства ROHM Semiconductor. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VDS): 30 В
    • Номинальный ток пропускания (ID): 10 А
    • Тип поляризации: N-канальный
    • Пакет: 8HSMT
  • Преимущества:
    • Высокая эффективность: благодаря низкому коэффициенту сопротивления на проводимость.
    • Малый тепловыделение: способность эффективно управлять теплом.
    • Надежность: высокая стабильность при длительной эксплуатации.
  • Недостатки:
    • Уязвимость к электростатическому разряду (ESD): требует дополнительной защиты.
    • Сложность управления: нуждается в правильном выборе параметров генератора тока для обеспечения стабильной работы.
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление токами в различных электронных устройствах.
    • Переключение высоких токов с минимальным энергетическим потерь.
    • Ограничение максимального тока в цепях.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника (регуляторы напряжения, системы управления двигателем).
    • Электронасосные установки.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Промышленные контроллеры и автоматические системы.
    • Беспроводные устройства (Wi-Fi, Bluetooth).
Выбрано: Показать

Характеристики RQ3E100BNTB

Техническая документация

RQ3E100BNTB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории