Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB
;
RQ3E150BNTB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RQ3E150BNTB при покупке от 1 шт 175.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ3E150BNTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) производства компании ROHM Semiconductor. Давайте рассмотрим основные параметры, плюсы и минусы, а также область применения этого MOSFET.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 15А
    • Количество выводов: 8
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: HSMT
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологий ROHM Semiconductor.
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении ввода-вывода.
    • Малый размер и высокая плотность компоновки.
    • Высокая стабильность характеристик при изменении температуры.
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с некоторыми аналогами.
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению из-за высокого тока.
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями.
    • Регулирование напряжения и тока.
    • Использование в системах питания.
    • Модулирование сигналов.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника.
    • Системы управления двигателем.
    • Промышленное оборудование.
    • Питание мобильных устройств.
    • Периферийные устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики RQ3E150BNTB

Техническая документация

RQ3E150BNTB.pdf
pdf. 0 kb
  • 2601 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    175 ₽
  • 100
    71 ₽
  • 1000
    49 ₽
  • 6000
    36.4 ₽
  • 15000
    34 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RQ3E150BNTB при покупке от 1 шт 175.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ3E150BNTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) производства компании ROHM Semiconductor. Давайте рассмотрим основные параметры, плюсы и минусы, а также область применения этого MOSFET.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 15А
    • Количество выводов: 8
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: HSMT
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологий ROHM Semiconductor.
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении ввода-вывода.
    • Малый размер и высокая плотность компоновки.
    • Высокая стабильность характеристик при изменении температуры.
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с некоторыми аналогами.
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению из-за высокого тока.
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями.
    • Регулирование напряжения и тока.
    • Использование в системах питания.
    • Модулирование сигналов.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника.
    • Системы управления двигателем.
    • Промышленное оборудование.
    • Питание мобильных устройств.
    • Периферийные устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики RQ3E150BNTB

Техническая документация

RQ3E150BNTB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории