Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
RQ5E040AJTCL
  • В избранное
  • В сравнение
RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL
;
RQ5E040AJTCL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RQ5E040AJTCL
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3Все характеристики

Минимальная цена RQ5E040AJTCL при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ5E040AJTCL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 4A TSMT

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 30В
    • Максимальный ток (ID(on)): 4А
    • Технология: TSMT (Trench Stacked Metal-Insulator-Trench)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Низкий ток шоттки
    • Компактные размеры благодаря технологии TSMT
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами MOSFET
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Контроль тока в различных приборах и устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Мощные электронные устройства
    • Электроприборы
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики RQ5E040AJTCL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    480 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT3
  • Корпус
    SC-96
  • Base Product Number
    RQ5E040

Техническая документация

 RQ5E040AJTCL.pdf
pdf. 0 kb
  • 5860 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    161 ₽
  • 100
    64 ₽
  • 1000
    44 ₽
  • 6000
    35 ₽
  • 15000
    31.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RQ5E040AJTCL
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3Все характеристики

Минимальная цена RQ5E040AJTCL при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ5E040AJTCL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 4A TSMT

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 30В
    • Максимальный ток (ID(on)): 4А
    • Технология: TSMT (Trench Stacked Metal-Insulator-Trench)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Низкий ток шоттки
    • Компактные размеры благодаря технологии TSMT
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами MOSFET
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Контроль тока в различных приборах и устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Мощные электронные устройства
    • Электроприборы
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики RQ5E040AJTCL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    480 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT3
  • Корпус
    SC-96
  • Base Product Number
    RQ5E040

Техническая документация

 RQ5E040AJTCL.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    QS5U13TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    159Кешбэк 23 балла
    RF4C050APTRДиод: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
    161Кешбэк 24 балла
    RQ5E040AJTCLMOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
    161Кешбэк 24 балла
    RUR020N02TLMOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
    161Кешбэк 24 балла
    RAL035P01TCRMOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
    161Кешбэк 24 балла
    RQ5H020SPTLMOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
    161Кешбэк 24 балла
    RQ6E055BNTCRMOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
    163Кешбэк 24 балла
    QS5U12TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    165Кешбэк 24 балла
    RQ3E180AJTBMOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
    165Кешбэк 24 балла
    QS5U34TRТранзистор: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
    167Кешбэк 25 баллов
    RS1E170GNTBMOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
    167Кешбэк 25 баллов
    RVQ040N05TRMOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
    167Кешбэк 25 баллов
    RZF020P01TLMOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
    169Кешбэк 25 баллов
    RS1E200BNTBMOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
    169Кешбэк 25 баллов
    RSF014N03TLMOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
    171Кешбэк 25 баллов
    QS5U17TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    171Кешбэк 25 баллов
    RS1G120MNTBMOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
    173Кешбэк 25 баллов
    RZR025P01TLMOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
    175Кешбэк 26 баллов
    QS5U36TRMOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
    179Кешбэк 26 баллов
    RQ1C065UNTRMOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
    179Кешбэк 26 баллов
    RTL035N03TRMOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
    181Кешбэк 27 баллов
    RSR015P03TLMOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
    181Кешбэк 27 баллов
    RUL035N02TRMOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
    181Кешбэк 27 баллов
    RUR040N02TLMOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
    182Кешбэк 27 баллов
    RZF030P01TLMOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
    183Кешбэк 27 баллов
    RTR030P02TLMOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
    187Кешбэк 28 баллов
    RQ3E150BNTBMOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
    187Кешбэк 28 баллов
    RSL020P03TRMOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    RS1E150GNTBMOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
    191Кешбэк 28 баллов
    RS1G150MNTBТранзистор: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
    193Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП