Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR
;
RQ6E045BNTCR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RQ6E045BNTCR при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6E045BNTCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT — это полупроводниковый транзистор для цифровых и аналоговых приложений. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение VDS(on): 30В
  • Номинальный ток ID: 4.5А
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Пакет: TSMT (Tape-Sheet Metal Terminal)

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малые потери энергии при работе
  • Хорошая термостабильность
  • Простота применения в различных схемах

Минусы:

  • Небольшой максимальный ток может ограничивать применение в некоторых схемах
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Управление нагрузками в цифровых системах
  • Изменение тока в схемах управления

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Мобильных устройствах
  • Электроприборах
  • Инверторах и преобразователях напряжения
  • Цифровых системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики RQ6E045BNTCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    330 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.25W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6E045

Техническая документация

RQ6E045BNTCR.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RQ6E045BNTCR при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6E045BNTCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT — это полупроводниковый транзистор для цифровых и аналоговых приложений. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение VDS(on): 30В
  • Номинальный ток ID: 4.5А
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Пакет: TSMT (Tape-Sheet Metal Terminal)

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малые потери энергии при работе
  • Хорошая термостабильность
  • Простота применения в различных схемах

Минусы:

  • Небольшой максимальный ток может ограничивать применение в некоторых схемах
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Управление нагрузками в цифровых системах
  • Изменение тока в схемах управления

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Мобильных устройствах
  • Электроприборах
  • Инверторах и преобразователях напряжения
  • Цифровых системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики RQ6E045BNTCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    330 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.25W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6E045

Техническая документация

RQ6E045BNTCR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории