RS1E170GNTB

RS1E170GNTB ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

• Основные параметры:
• Напряжение падения (V_GS(th)): не указано, но обычно для MOSFET N-канала это около 2-4 В
• Рейтингное напряжение (V_DS(on)): 30 В
• Рейтингный ток (I_D(on)): 17 А
• Количество контактов (пакет): 8-HSOP (8-разъемная поверхновыпуклый пакет)
• Плюсы:
• Высокий рейтингный ток и напряжение, позволяющие использовать в различных приложениях с высокими нагрузками
• Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету
• Устойчивость к тепловым перегрузкам
• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения при работе на максимальных нагрузках из-за возможного нагрева
• Необходимо соблюдать правила по выбору подключаемых компонентов для обеспечения надежной работы
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Переключение электрических цепей
• Уменьшение потерь энергии в электронных схемах
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Блоки питания
• Промышленные контроллеры и системы автоматизации
• Электронные устройства для домашнего использования