Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
RS1JHE3_A/I
  • В избранное
  • В сравнение
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I
;
RS1JHE3_A/I

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    RS1JHE3_A/I
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена RS1JHE3_A/I при покупке от 1 шт 79.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RS1JHE3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 600В
    • Рейтингный ток (IRRM) - 1А
    • Форма пакета - DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к тепловому стрессу
    • Компактная форма пакета для простого монтажа
  • Минусы:
    • Ограниченный ток
    • Требует дополнительных термальных решений для высоких рабочих температур
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Переключение нагрузки при переменном напряжении
    • Диодная функция в различных схемах
  • Применение в устройствах:
    • Сетевые адаптеры и преобразователи
    • Автомобильные системы
    • Питание периферийного оборудования
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики RS1JHE3_A/I

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    250 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    7pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    RS1J

Техническая документация

 RS1JHE3_A/I.pdf
pdf. 0 kb
  • 13600 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    79 ₽
  • 100
    36 ₽
  • 1000
    19 ₽
  • 7500
    15.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    RS1JHE3_A/I
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена RS1JHE3_A/I при покупке от 1 шт 79.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RS1JHE3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 600В
    • Рейтингный ток (IRRM) - 1А
    • Форма пакета - DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к тепловому стрессу
    • Компактная форма пакета для простого монтажа
  • Минусы:
    • Ограниченный ток
    • Требует дополнительных термальных решений для высоких рабочих температур
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Переключение нагрузки при переменном напряжении
    • Диодная функция в различных схемах
  • Применение в устройствах:
    • Сетевые адаптеры и преобразователи
    • Автомобильные системы
    • Питание периферийного оборудования
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики RS1JHE3_A/I

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    250 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    7pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    RS1J

Техническая документация

 RS1JHE3_A/I.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ES3GHE3_A/HДиод: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
    73Кешбэк 10 баллов
    S3JHE3_A/HDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
    73Кешбэк 10 баллов
    1N4002E-E3/53DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    75Кешбэк 11 баллов
    GP10W-E3/54DIODE GEN PURP 1.5KV 1A DO204AL
    75Кешбэк 11 баллов
    SS2P4-M3/84AДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO220AA
    75Кешбэк 11 баллов
    ESH1D-E3/61TДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    75Кешбэк 11 баллов
    BYG20G-E3/TR3DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
    75Кешбэк 11 баллов
    BYG20D-E3/TR3DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
    75Кешбэк 11 баллов
    SGL41-30-E3/96Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB
    75Кешбэк 11 баллов
    UF5405-E3/54DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD
    75Кешбэк 11 баллов
    B330LA-E3/61TDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC
    75Кешбэк 11 баллов
    SS24HE3_A/HДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
    75Кешбэк 11 баллов
    GL34J-E3/98Диод: DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
    75Кешбэк 11 баллов
    SE30AFJ-M3/6ADIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC
    77Кешбэк 11 баллов
    SS2P6HM3/85AДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO220AA
    77Кешбэк 11 баллов
    1N5818-E3/73Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL
    77Кешбэк 11 баллов
    B350A-E3/5ATDIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AC
    77Кешбэк 11 баллов
    BYG21K-E3/TRDIODE AVALANCHE 800V 1.5A
    77Кешбэк 11 баллов
    SS2P6-M3/85AДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO220AA
    77Кешбэк 11 баллов
    S2MHE3_A/IDIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
    77Кешбэк 11 баллов
    B340A-M3/61TDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
    77Кешбэк 11 баллов
    B350A-E3/61TDIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AC
    77Кешбэк 11 баллов
    SS1P3L-M3/85ADIODE SCHOTTKY 30V 1A DO220AA
    77Кешбэк 11 баллов
    SS2FL4HM3/HДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB
    79Кешбэк 11 баллов
    SB2M-M3/5BTDIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
    79Кешбэк 11 баллов
    RS1JHE3_A/IDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
    79Кешбэк 11 баллов
    SS2FL3HM3/HДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB
    79Кешбэк 11 баллов
    SE20AFBHM3/6ADIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC
    79Кешбэк 11 баллов
    RGL41J-E3/97DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
    79Кешбэк 11 баллов
    1N4935-E3/73DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    79Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторные модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП