Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
RT1A060APTR
  • В избранное
  • В сравнение
RT1A060APTR

RT1A060APTR

RT1A060APTR
;
RT1A060APTR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RT1A060APTR
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 6A 8TSSTВсе характеристики

Минимальная цена RT1A060APTR при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RT1A060APTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RT1A060APTR

RT1A060APTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 12В
    • Номинальный ток (ID(on)): 6А
    • Количество транзисторов: 8
    • Пакет: TSST
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый динамический трещоточный сопротивление
    • Хорошая надежность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Требуют точного подбора и установки
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных устройств от повреждений
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электропитании устройств
    • Инверторах
    • Реверсивных управляющих устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики RT1A060APTR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7800 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    600mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-TSST
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Base Product Number
    RT1A060

Техническая документация

 RT1A060APTR.pdf
pdf. 0 kb
  • 46 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 ₽
  • 10
    52 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RT1A060APTR
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 6A 8TSSTВсе характеристики

Минимальная цена RT1A060APTR при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RT1A060APTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RT1A060APTR

RT1A060APTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 12В
    • Номинальный ток (ID(on)): 6А
    • Количество транзисторов: 8
    • Пакет: TSST
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый динамический трещоточный сопротивление
    • Хорошая надежность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Требуют точного подбора и установки
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Защита электронных устройств от повреждений
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электропитании устройств
    • Инверторах
    • Реверсивных управляющих устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики RT1A060APTR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7800 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    600mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-TSST
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Base Product Number
    RT1A060

Техническая документация

 RT1A060APTR.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RT1A060APTRMOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
    85Кешбэк 12 баллов
    RUE003N02TLТранзистор: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
    89Кешбэк 13 баллов
    RSU002P03T106MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
    93Кешбэк 13 баллов
    RQ3E120BNTBMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
    101Кешбэк 15 баллов
    RQ3E120GNTBMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
    102Кешбэк 15 баллов
    RUM003N02T2LMOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
    105Кешбэк 15 баллов
    RJK005N03T146MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
    105Кешбэк 15 баллов
    2SK2731T146MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
    105Кешбэк 15 баллов
    RQ6E035ATTCRMOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
    105Кешбэк 15 баллов
    RQ3E080BNTBТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
    107Кешбэк 16 баллов
    RQ5E035ATTCLMOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
    109Кешбэк 16 баллов
    RQ5A030APTLMOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
    111Кешбэк 16 баллов
    RAL025P01TCRMOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
    111Кешбэк 16 баллов
    RQ3E160ADTBMOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
    113Кешбэк 16 баллов
    RZF013P01TLMOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
    113Кешбэк 16 баллов
    RRF015P03TLMOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
    116Кешбэк 17 баллов
    RQ3E070BNTBMOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
    121Кешбэк 18 баллов
    RUF015N02TLMOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    RHK003N06T146MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    RSF015N06TLMOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
    125Кешбэк 18 баллов
    QS6U24TRMOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
    125Кешбэк 18 баллов
    RQ6E045BNTCRMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
    125Кешбэк 18 баллов
    RUF020N02TLMOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RQ3E100BNTBMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
    127Кешбэк 19 баллов
    RTF016N05TLMOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RAQ045P01TCRMOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
    127Кешбэк 19 баллов
    US5U1TRMOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
    127Кешбэк 19 баллов
    RTR025N03TLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RQ3E180BNTBMOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
    129Кешбэк 19 баллов
    RRQ020P03TCRMOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
    129Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП