Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
RUL035N02TR
  • В избранное
  • В сравнение
RUL035N02TR

RUL035N02TR

RUL035N02TR
;
RUL035N02TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RUL035N02TR
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6Все характеристики

Минимальная цена RUL035N02TR при покупке от 1 шт 169.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RUL035N02TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RUL035N02TR

RUL035N02TR ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 — это полупроводниковый транзистор, используемый для управления электрическим током. Основные параметры:

  • Напряжение включенного канала (VGS(th)): ≤ 2.5 В
  • Размерный ток (ID(on)): 3.5 А
  • Номинальное напряжение на дренаже (VDS): 20 В
  • Температурный коэффициент RDS(on): ≤ 100 мВ/°C
  • Тип: N-канальный
  • Класс термостабильности: TUMT6

Плюсы:

  • Малый размер и высокая плотность компоновки
  • Низкое значение RDS(on), что обеспечивает минимальные потери энергии
  • Высокая скорость переключения
  • Стабильные характеристики при различных температурах

Минусы:

  • Необходимо учесть ограничения по тепловыделению при высоких нагрузках
  • Требуется дополнительное охлаждение при больших токах

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приборах и системах, где требуется высокая эффективность и быстрота реакции.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Инверторах
  • Блоках питания
  • Электронных устройствах с высокими требованиями к эффективности
Выбрано: Показать

Характеристики RUL035N02TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    43mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    460 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    320mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TUMT6
  • Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Base Product Number
    RUL035

Техническая документация

 RUL035N02TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 1987 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    169 ₽
  • 100
    80 ₽
  • 1000
    57 ₽
  • 6000
    45 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RUL035N02TR
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6Все характеристики

Минимальная цена RUL035N02TR при покупке от 1 шт 169.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RUL035N02TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RUL035N02TR

RUL035N02TR ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 — это полупроводниковый транзистор, используемый для управления электрическим током. Основные параметры:

  • Напряжение включенного канала (VGS(th)): ≤ 2.5 В
  • Размерный ток (ID(on)): 3.5 А
  • Номинальное напряжение на дренаже (VDS): 20 В
  • Температурный коэффициент RDS(on): ≤ 100 мВ/°C
  • Тип: N-канальный
  • Класс термостабильности: TUMT6

Плюсы:

  • Малый размер и высокая плотность компоновки
  • Низкое значение RDS(on), что обеспечивает минимальные потери энергии
  • Высокая скорость переключения
  • Стабильные характеристики при различных температурах

Минусы:

  • Необходимо учесть ограничения по тепловыделению при высоких нагрузках
  • Требуется дополнительное охлаждение при больших токах

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приборах и системах, где требуется высокая эффективность и быстрота реакции.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Инверторах
  • Блоках питания
  • Электронных устройствах с высокими требованиями к эффективности
Выбрано: Показать

Характеристики RUL035N02TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    43mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    460 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    320mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TUMT6
  • Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Base Product Number
    RUL035

Техническая документация

 RUL035N02TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RAL035P01TCRMOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
    150Кешбэк 22 балла
    RQ5H020SPTLMOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
    151Кешбэк 22 балла
    RQ6E055BNTCRMOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
    152Кешбэк 22 балла
    QS5U12TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    154Кешбэк 23 балла
    RQ3E180AJTBMOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
    155Кешбэк 23 балла
    QS5U34TRТранзистор: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
    156Кешбэк 23 балла
    RS1E170GNTBMOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
    156Кешбэк 23 балла
    RVQ040N05TRMOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
    156Кешбэк 23 балла
    RZF020P01TLMOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
    158Кешбэк 23 балла
    RS1E200BNTBMOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
    158Кешбэк 23 балла
    RSF014N03TLMOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
    160Кешбэк 24 балла
    QS5U17TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    160Кешбэк 24 балла
    RS1G120MNTBMOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
    161Кешбэк 24 балла
    RZR025P01TLMOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
    163Кешбэк 24 балла
    RUF025N02TLMOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
    167Кешбэк 25 баллов
    QS5U36TRMOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
    167Кешбэк 25 баллов
    RQ1C065UNTRMOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
    167Кешбэк 25 баллов
    RTL035N03TRMOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
    169Кешбэк 25 баллов
    RSR015P03TLMOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
    169Кешбэк 25 баллов
    RUL035N02TRMOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
    169Кешбэк 25 баллов
    RZF030P01TLMOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
    171Кешбэк 25 баллов
    RUR040N02TLMOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
    171Кешбэк 25 баллов
    RTR030P02TLMOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
    175Кешбэк 26 баллов
    RQ3E150BNTBMOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
    175Кешбэк 26 баллов
    RSL020P03TRMOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
    177Кешбэк 26 баллов
    RS1E150GNTBMOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
    179Кешбэк 26 баллов
    RS1G150MNTBТранзистор: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
    180Кешбэк 27 баллов
    RHP020N06T100MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
    182Кешбэк 27 баллов
    QS5U16TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    186Кешбэк 27 баллов
    RSR025N03TLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    188Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП