RV2C002UNT2L

РВ2C002UNT2L ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 20V 180mA DFN1006-3

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение вдоль канала (V_GS(th)): 2.0 В
• Номинальное напряжение вдоль канала (V_DS): 20 В
• Номинальный ток при V_DS = 20 В (I_D(on)): 180 mA
• Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
• Пакет: DFN1006-3
• Плюсы:
• Низкое напряжение включения (2.0 В), что позволяет эффективно использовать в низковольтных системах
• Малый размер пакета (DFN1006-3), что обеспечивает компактность в размещении на плате
• Высокая скорость переключения
• Устойчивость к шумам и импульсным перенапряжениям
• Минусы:
• Низкий ток при номинальном напряжении (180 mA) может ограничить использование в высокотоковых приложениях
• Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках или при работе в условиях высокой температуры
• Общее назначение:
• Переключение и регулирование напряжения в цифровых и аналоговых электронных устройствах
• Использование в схемах управления двигателей
• Работа в системах питания и преобразователях
• Применение в мобильных устройствах и портативной электронике
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Мобильные телефоны и планшеты
• Компьютеры и ноутбуки
• Преобразователи напряжения и регуляторы
• Системы управления двигателем
• Электронные часы и другие портативные устройства