Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
S3KHE3_A/H
  • В избранное
  • В сравнение
S3KHE3_A/H

S3KHE3_A/H

S3KHE3_A/H
;
S3KHE3_A/H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    S3KHE3_A/H
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO214ABВсе характеристики

Минимальная цена S3KHE3_A/H при покупке от 1 шт 106.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S3KHE3_A/H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S3KHE3_A/H

Vishay General Semiconductor S3KHE3_A/H диод

  • Номинальное напряжение: 800В
  • Номинальный ток: 3А
  • Форм-фактор: DO214AB

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Малый размер
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Средняя скорость восстановления
  • Могут быть чувствительны к электрическим шумам

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока в электронных устройствах
  • Распределение тока в различных приборах
  • Изоляция сигналов в цифровых системах

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Питание и преобразование энергии
  • Мобильные устройства
  • Инверторы и преобразователи
  • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики S3KHE3_A/H

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.15 V @ 2.5 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    2.5 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AB, SMC
  • Исполнение корпуса
    DO-214AB (SMC)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    S3K

Техническая документация

 S3KHE3_A/H.pdf
pdf. 0 kb
  • 1146 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    106 ₽
  • 100
    56 ₽
  • 850
    25 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    S3KHE3_A/H
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO214ABВсе характеристики

Минимальная цена S3KHE3_A/H при покупке от 1 шт 106.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S3KHE3_A/H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S3KHE3_A/H

Vishay General Semiconductor S3KHE3_A/H диод

  • Номинальное напряжение: 800В
  • Номинальный ток: 3А
  • Форм-фактор: DO214AB

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Малый размер
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Средняя скорость восстановления
  • Могут быть чувствительны к электрическим шумам

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока в электронных устройствах
  • Распределение тока в различных приборах
  • Изоляция сигналов в цифровых системах

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Питание и преобразование энергии
  • Мобильные устройства
  • Инверторы и преобразователи
  • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики S3KHE3_A/H

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.15 V @ 2.5 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    2.5 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AB, SMC
  • Исполнение корпуса
    DO-214AB (SMC)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    S3K

Техническая документация

 S3KHE3_A/H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SS24S-M3/61TДиод: DIODE SCHOTTKY 2A 40V DO-214AC
    106Кешбэк 15 баллов
    SB3H100-E3/54DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD
    106Кешбэк 15 баллов
    GP10M-E3/54DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    106Кешбэк 15 баллов
    SSA33L-E3/5ATДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC
    106Кешбэк 15 баллов
    ES2DHE3_A/IDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
    106Кешбэк 15 баллов
    RMPG06G-E3/53DIODE GPP 1A 400V 150NS MPG06
    106Кешбэк 15 баллов
    SBYV27-50-E3/54DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC
    106Кешбэк 15 баллов
    U2D-E3/52TDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
    106Кешбэк 15 баллов
    RS2JHE3_A/HДиод: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
    106Кешбэк 15 баллов
    SB2H90-E3/54DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO204AC
    106Кешбэк 15 баллов
    S3KHE3_A/HDIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
    106Кешбэк 15 баллов
    EGL41D-E3/96DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
    106Кешбэк 15 баллов
    RGP10B-E3/54DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    108Кешбэк 16 баллов
    SS8PH9-M3/87AДиод: DIODE SCHOTTKY 90V 8A TO277A
    108Кешбэк 16 баллов
    B330LA-E3/5ATDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC
    108Кешбэк 16 баллов
    BYM11-50-E3/96DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
    108Кешбэк 16 баллов
    1N4947GP-E3/54DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
    108Кешбэк 16 баллов
    GL34A-E3/98DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
    108Кешбэк 16 баллов
    ESH1DHE3_A/HDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    108Кешбэк 16 баллов
    EGL41D-E3/97DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
    108Кешбэк 16 баллов
    S3JHE3_A/IDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
    108Кешбэк 16 баллов
    BY253P-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
    108Кешбэк 16 баллов
    SSA33LHE3_A/HDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC
    108Кешбэк 16 баллов
    BYG22B-E3/TR3DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
    108Кешбэк 16 баллов
    RS2B-E3/52TDIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
    108Кешбэк 16 баллов
    BY251P-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    108Кешбэк 16 баллов
    SS3P6L-M3/86AДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 3A TO277A
    108Кешбэк 16 баллов
    RGP10D-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    108Кешбэк 16 баллов
    EGL41G-E3/97DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
    108Кешбэк 16 баллов
    SB160-E3/53DIODE SCHOTTKY 1A 60V DO-41
    108Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторные модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП