Войдите в профиль
Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения
Москва


Минимальная цена SCT2160KEHRC11 при покупке от 1 шт 4053.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2160KEHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Разрешенные параметры:
Маркировка SCT2160KEHRC11 — это маркировка для MOSFET (MOS-FET) семейства SiC (Silicon-Carbide), выпущенного компанией ROHM Semiconductor.
1200V — максимальное напряжение, которое может выдерживать полупроводниковый элемент.
22A — максимальный ток, который может проходить через элемент при заданном напряжении.
THD — термин обычно используется для описания гармонических составляющих тока или напряжения, но в контексте MOSFET он не является стандартным и может относиться к специфическим характеристикам данного изделия.
SILICON-CARBIDE — SiC используется как материал для производства полупроводниковых элементов из-за его высокой термостойкости и высокого коэффициента проводимости.
Плюсы:
Высокая скорость включения и выключения.
Низкое сопротивление при прохождении тока.
Высокая термостойкость и устойчивость к перегреву.
Низкая потери энергии при работе.
Минусы:
Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFETами.
Требуются специфические методы монтажа и термическая система.
Необходимо учитывать специфические характеристики работы при использовании SiC.
Общее назначение:
Используется в устройствах, требующих высоких напряжений и токов.
Подходит для применения в инверторах, преобразователях напряжения, электронных регуляторах и других системах, где важна эффективность и надежность.
В каких устройствах применяется:
Автомобильная электроника.
Системы хранения энергии.
Промышленное оборудование.
Энергосберегающие системы.
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
Минимальная цена SCT2160KEHRC11 при покупке от 1 шт 4053.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2160KEHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Разрешенные параметры:
Маркировка SCT2160KEHRC11 — это маркировка для MOSFET (MOS-FET) семейства SiC (Silicon-Carbide), выпущенного компанией ROHM Semiconductor.
1200V — максимальное напряжение, которое может выдерживать полупроводниковый элемент.
22A — максимальный ток, который может проходить через элемент при заданном напряжении.
THD — термин обычно используется для описания гармонических составляющих тока или напряжения, но в контексте MOSFET он не является стандартным и может относиться к специфическим характеристикам данного изделия.
SILICON-CARBIDE — SiC используется как материал для производства полупроводниковых элементов из-за его высокой термостойкости и высокого коэффициента проводимости.
Плюсы:
Высокая скорость включения и выключения.
Низкое сопротивление при прохождении тока.
Высокая термостойкость и устойчивость к перегреву.
Низкая потери энергии при работе.
Минусы:
Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFETами.
Требуются специфические методы монтажа и термическая система.
Необходимо учитывать специфические характеристики работы при использовании SiC.
Общее назначение:
Используется в устройствах, требующих высоких напряжений и токов.
Подходит для применения в инверторах, преобразователях напряжения, электронных регуляторах и других системах, где важна эффективность и надежность.
В каких устройствах применяется:
Автомобильная электроника.
Системы хранения энергии.
Промышленное оборудование.
Энергосберегающие системы.