SCT2160KEHRC11

Разрешенные параметры:

• Маркировка SCT2160KEHRC11 — это маркировка для MOSFET (MOS-FET) семейства SiC (Silicon-Carbide), выпущенного компанией ROHM Semiconductor.

• 1200V — максимальное напряжение, которое может выдерживать полупроводниковый элемент.

• 22A — максимальный ток, который может проходить через элемент при заданном напряжении.

• THD — термин обычно используется для описания гармонических составляющих тока или напряжения, но в контексте MOSFET он не является стандартным и может относиться к специфическим характеристикам данного изделия.

• SILICON-CARBIDE — SiC используется как материал для производства полупроводниковых элементов из-за его высокой термостойкости и высокого коэффициента проводимости.

Плюсы:

• Высокая скорость включения и выключения.

• Низкое сопротивление при прохождении тока.

• Высокая термостойкость и устойчивость к перегреву.

• Низкая потери энергии при работе.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFETами.

• Требуются специфические методы монтажа и термическая система.

• Необходимо учитывать специфические характеристики работы при использовании SiC.

Общее назначение:

• Используется в устройствах, требующих высоких напряжений и токов.

• Подходит для применения в инверторах, преобразователях напряжения, электронных регуляторах и других системах, где важна эффективность и надежность.

В каких устройствах применяется:

• Автомобильная электроника.

• Системы хранения энергии.

• Промышленное оборудование.

• Энергосберегающие системы.