Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SCT2450KEHRC11
  • В избранное
  • В сравнение
SCT2450KEHRC11

SCT2450KEHRC11

SCT2450KEHRC11
;
SCT2450KEHRC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    SCT2450KEHRC11
  • Описание:
    1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDEВсе характеристики

Минимальная цена SCT2450KEHRC11 при покупке от 1 шт 2539.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2450KEHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT2450KEHRC11

Размеры маркировки:

  • SCT2450KEHRC11: Модельная маркировка
  • Rohm Semiconductor: Производитель
  • 1200V: Номинальное напряжение
  • 10A: Номинальный ток
  • THD: Коэффициент полного отклонения
  • SILICON-CARBIDE: Используемый материал (сапфирный силиккат)

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Номинальный ток: 10А
  • Материал: Сапфирный силиккат (SiC)
  • Тип: Диод

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Низкий коэффициент полного отклонения (THD) обеспечивает высокую эффективность работы
  • Высокая частота работы: Возможность работы при высоких частотах благодаря использованию SiC
  • Устойчивость к перегреву: Высокие термические характеристики SiC позволяют работать при высоких температурах без потери характеристик

Минусы:

  • Высокая стоимость: Сапфирный силиккат более дорогой по сравнению с традиционными материалами
  • Требуются специальные знания для работы: Необходимо учитывать особенности работы с SiC при проектировании и сборке

Общее назначение:

  • Диоды для высоковольтных приложений
  • Использование в инверторах, преобразователях напряжения
  • Применяются в системах управления энергоснабжением

В каких устройствах применяется:

  • Системы солнечной энергии
  • Автомобильные системы питания
  • Энергосберегающие устройства
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SCT2450KEHRC11

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    585mOhm @ 3A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 900µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    463 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 SCT2450KEHRC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 12 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 539 ₽
  • 5
    2 217 ₽
  • 10
    1 893 ₽
  • 50
    1 743 ₽
  • 100
    1 591 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    SCT2450KEHRC11
  • Описание:
    1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDEВсе характеристики

Минимальная цена SCT2450KEHRC11 при покупке от 1 шт 2539.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2450KEHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT2450KEHRC11

Размеры маркировки:

  • SCT2450KEHRC11: Модельная маркировка
  • Rohm Semiconductor: Производитель
  • 1200V: Номинальное напряжение
  • 10A: Номинальный ток
  • THD: Коэффициент полного отклонения
  • SILICON-CARBIDE: Используемый материал (сапфирный силиккат)

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Номинальный ток: 10А
  • Материал: Сапфирный силиккат (SiC)
  • Тип: Диод

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Низкий коэффициент полного отклонения (THD) обеспечивает высокую эффективность работы
  • Высокая частота работы: Возможность работы при высоких частотах благодаря использованию SiC
  • Устойчивость к перегреву: Высокие термические характеристики SiC позволяют работать при высоких температурах без потери характеристик

Минусы:

  • Высокая стоимость: Сапфирный силиккат более дорогой по сравнению с традиционными материалами
  • Требуются специальные знания для работы: Необходимо учитывать особенности работы с SiC при проектировании и сборке

Общее назначение:

  • Диоды для высоковольтных приложений
  • Использование в инверторах, преобразователях напряжения
  • Применяются в системах управления энергоснабжением

В каких устройствах применяется:

  • Системы солнечной энергии
  • Автомобильные системы питания
  • Энергосберегающие устройства
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SCT2450KEHRC11

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    585mOhm @ 3A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 900µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    463 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 SCT2450KEHRC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    R6520ENJTLMOSFET N-CH 650V 20A LPTS
    456Кешбэк 68 баллов
    RD3L220SNFRATLMOSFET N-CH 60V 22A TO252
    458Кешбэк 68 баллов
    R6009JNJGTLMOSFET N-CH 600V 9A LPTS
    472Кешбэк 70 баллов
    R6011KND3TL1MOSFET N-CH 600V 11A TO252
    483Кешбэк 72 балла
    R6011KNXMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
    492Кешбэк 73 балла
    R6012JNJGTLMOSFET N-CH 600V 12A LPTS
    505Кешбэк 75 баллов
    R6511END3TL1650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
    525Кешбэк 78 баллов
    R6004KNJTLMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
    555Кешбэк 83 балла
    R6020JNJGTLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    606Кешбэк 90 баллов
    R8002CND3FRATLMOSFET N-CH 800V 2A TO252
    624Кешбэк 93 балла
    R8007AND3FRATLMOSFET N-CH 800V 7A TO252
    688Кешбэк 103 балла
    R8006KNXC7GHIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
    710Кешбэк 106 баллов
    R6020KNJTLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    719Кешбэк 107 баллов
    R6511KNJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS
    807Кешбэк 121 балл
    RJ1P12BBDTLLMOSFET N-CH 100V 120A LPTL
    853Кешбэк 127 баллов
    R6520ENZ4C13650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
    862Кешбэк 129 баллов
    R6511ENJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS
    935Кешбэк 140 баллов
    R6020ENZ4C13MOSFET N-CH 600V 20A TO247
    1 021Кешбэк 153 балла
    R6020PNJFRATLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    1 281Кешбэк 192 балла
    R6070JNZ4C13600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
    1 503Кешбэк 225 баллов
    SCT2450KEHRC111200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 539Кешбэк 380 баллов
    R6076KNZ4C13MOSFET N-CH 600V 76A TO247
    3 174Кешбэк 476 баллов
    SCT4026DW7HRTL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
    3 319Кешбэк 497 баллов
    SCT3080ARC14SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
    3 595Кешбэк 539 баллов
    SCT2160KEHRC111200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
    4 053Кешбэк 607 баллов
    SCT3030ARC14SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
    5 920Кешбэк 888 баллов
    BSM300C12P3E201SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
    101 439Кешбэк 15 215 баллов
    BSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
    101 520Кешбэк 15 228 баллов
    BSM180C12P3C202SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
    111 977Кешбэк 16 796 баллов
    BSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
    234 079Кешбэк 35 111 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП