Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SCT2450KEHRC11
  • В избранное
  • В сравнение
SCT2450KEHRC11

SCT2450KEHRC11

SCT2450KEHRC11
;
SCT2450KEHRC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    SCT2450KEHRC11
  • Описание:
    1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDEВсе характеристики

Минимальная цена SCT2450KEHRC11 при покупке от 1 шт 2539.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2450KEHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT2450KEHRC11

Размеры маркировки:

  • SCT2450KEHRC11: Модельная маркировка
  • Rohm Semiconductor: Производитель
  • 1200V: Номинальное напряжение
  • 10A: Номинальный ток
  • THD: Коэффициент полного отклонения
  • SILICON-CARBIDE: Используемый материал (сапфирный силиккат)

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Номинальный ток: 10А
  • Материал: Сапфирный силиккат (SiC)
  • Тип: Диод

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Низкий коэффициент полного отклонения (THD) обеспечивает высокую эффективность работы
  • Высокая частота работы: Возможность работы при высоких частотах благодаря использованию SiC
  • Устойчивость к перегреву: Высокие термические характеристики SiC позволяют работать при высоких температурах без потери характеристик

Минусы:

  • Высокая стоимость: Сапфирный силиккат более дорогой по сравнению с традиционными материалами
  • Требуются специальные знания для работы: Необходимо учитывать особенности работы с SiC при проектировании и сборке

Общее назначение:

  • Диоды для высоковольтных приложений
  • Использование в инверторах, преобразователях напряжения
  • Применяются в системах управления энергоснабжением

В каких устройствах применяется:

  • Системы солнечной энергии
  • Автомобильные системы питания
  • Энергосберегающие устройства
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SCT2450KEHRC11

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    585mOhm @ 3A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 900µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    463 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 SCT2450KEHRC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 12 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 539 ₽
  • 5
    2 217 ₽
  • 10
    1 893 ₽
  • 50
    1 743 ₽
  • 100
    1 591 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    SCT2450KEHRC11
  • Описание:
    1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDEВсе характеристики

Минимальная цена SCT2450KEHRC11 при покупке от 1 шт 2539.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2450KEHRC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT2450KEHRC11

Размеры маркировки:

  • SCT2450KEHRC11: Модельная маркировка
  • Rohm Semiconductor: Производитель
  • 1200V: Номинальное напряжение
  • 10A: Номинальный ток
  • THD: Коэффициент полного отклонения
  • SILICON-CARBIDE: Используемый материал (сапфирный силиккат)

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Номинальный ток: 10А
  • Материал: Сапфирный силиккат (SiC)
  • Тип: Диод

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Низкий коэффициент полного отклонения (THD) обеспечивает высокую эффективность работы
  • Высокая частота работы: Возможность работы при высоких частотах благодаря использованию SiC
  • Устойчивость к перегреву: Высокие термические характеристики SiC позволяют работать при высоких температурах без потери характеристик

Минусы:

  • Высокая стоимость: Сапфирный силиккат более дорогой по сравнению с традиционными материалами
  • Требуются специальные знания для работы: Необходимо учитывать особенности работы с SiC при проектировании и сборке

Общее назначение:

  • Диоды для высоковольтных приложений
  • Использование в инверторах, преобразователях напряжения
  • Применяются в системах управления энергоснабжением

В каких устройствах применяется:

  • Системы солнечной энергии
  • Автомобильные системы питания
  • Энергосберегающие устройства
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SCT2450KEHRC11

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    585mOhm @ 3A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 900µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    463 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    85W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 SCT2450KEHRC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TSM340N06CP ROGMOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
    160Кешбэк 24 балла
    TSM060N03PQ33 RGGТранзистор: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
    163Кешбэк 24 балла
    TSM060N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
    168Кешбэк 25 баллов
    TSM2314CX RFGMOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
    170Кешбэк 25 баллов
    TSM038N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
    173Кешбэк 25 баллов
    TSM085N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
    180Кешбэк 27 баллов
    TSM090N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
    184Кешбэк 27 баллов
    TSM2318CX RFGMOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
    191Кешбэк 28 баллов
    TQM300NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
    193Кешбэк 28 баллов
    TSM1NB60CP ROGMOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
    198Кешбэк 29 баллов
    TSM2307CX RFGMOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
    199Кешбэк 29 баллов
    TQM110NB04CR RLGMOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
    204Кешбэк 30 баллов
    TSM080N03EPQ56 RLGMOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
    207Кешбэк 31 балл
    TSM160P02CS RLGMOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
    207Кешбэк 31 балл
    TQM070NB04CR RLGMOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
    217Кешбэк 32 балла
    TSM2323CX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
    217Кешбэк 32 балла
    TSM055N03EPQ56 RLGТранзистор: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
    222Кешбэк 33 балла
    TSM080NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
    222Кешбэк 33 балла
    TSM055N03PQ56 RLGMOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
    230Кешбэк 34 балла
    TSM4NB65CP ROGMOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
    232Кешбэк 34 балла
    TSM085P03CV RGGMOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
    234Кешбэк 35 баллов
    TSM1NB60CW RPGMOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
    236Кешбэк 35 баллов
    TSM060N03ECP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
    239Кешбэк 35 баллов
    TQM130NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
    242Кешбэк 36 баллов
    TSM042N03CS RLGMOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
    245Кешбэк 36 баллов
    TSM150P04LCS RLGMOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
    247Кешбэк 37 баллов
    TSM052NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
    258Кешбэк 38 баллов
    TSM500N15CS RLG150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
    281Кешбэк 42 балла
    TSM085P03CS RLGMOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
    285Кешбэк 42 балла
    TSM4NB60CP ROGMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
    300Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП