SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
STMICROELECTRONICS
Артикул:
SCTL90N65G2V
Описание:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650Все характеристики

Минимальная цена SCTL90N65G2V при покупке от 1 шт 5570.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCTL90N65G2V с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V STMicroelectronics SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 — это мощный транзистор на кремниевом карбиде (SiC) с номинальным напряжением ведущего канала 650 В.

Основные параметры:

Номинальное напряжение ведущего канала: 650 В
Максимальная токовая плотность: 90 А/см²
Удельная мощность: 104 В·А
Максимальная температура ведущего канала: 175 °C

Плюсы:

Высокая скорость переключения
Низкое внутреннее сопротивление
Эффективность при работе при высоких температурах
Меньшая тепловая нагрузка

Минусы:

Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-транзисторами
Требуют специального оборудования для монтажа

Общее назначение:

Использование в системах управления двигателей
Применение в инверторах и преобразователях
Работа в сетях переменного тока

В каких устройствах применяется:

Автомобильные системы питания и управления
Промышленные системы преобразования энергии
Системы энергоснабжения зданий
Сетевые преобразователи

Техническая документация