SCTWA50N120

SCTWA50N120 STMicroelectronics SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

• Основные параметры:
• Напряжение срабатывания: 1200В
• Разрядный ток: 65А
• Тип: SICFET (SiC MOSFET)
• Тип поля: N-канальный
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения
• Низкое сопротивление ведущего канала
• Высокая температурная стойкость
• Малый размер и масса
• Минусы:
• Высокая стоимость
• Требуется специальное оборудование для монтажа
• Требуются дополнительные меры по управлению теплом
• Общее назначение:
• Использование в высоковольтных и высокочастотных системах
• Применяются в промышленных преобразователях и инверторах
• Используются в электромобилях для управления двигателем
• В каких устройствах применяется:
• Промышленные преобразователи и инверторы
• Электромобили и гибридные автомобили
• Системы управления двигателями
• Солнечные системы и другие источники энергии