Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
SFAS808G
  • В избранное
  • В сравнение
SFAS808G

SFAS808G

SFAS808G
;
SFAS808G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    SFAS808G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263ABВсе характеристики

Минимальная цена SFAS808G при покупке от 1 шт 279.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SFAS808G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SFAS808G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: SFAS808G
      • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
      • Тип: Диод
      • Назначение: Общего назначения
      • Номинальное напряжение: 600В
      • Номинальный ток: 8А
      • Форм-фактор: TO263AB
    • Плюсы:
      • Высокая надежность при работе с высокими напряжениями
      • Высокий ток пропускания
      • Компактный размер корпуса
    • Минусы:
      • Средняя эффективность в сравнении с более современными решениями
      • Могут быть чувствительны к перегреву
    • Общее назначение:
      • Защита электронных устройств от обратного напряжения
      • Прерывание тока при необходимости
      • Использование в источниках питания
    • В каких устройствах применяется:
      • Источники питания
      • Промышленное оборудование
      • Автомобильные системы
      • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики SFAS808G

  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    TO-263AB (D²PAK)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    SFAS808

Техническая документация

 SFAS808G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2347 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    279 ₽
  • 10
    177 ₽
  • 800
    86 ₽
  • 2400
    75 ₽
  • 5600
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    SFAS808G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263ABВсе характеристики

Минимальная цена SFAS808G при покупке от 1 шт 279.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SFAS808G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SFAS808G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: SFAS808G
      • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
      • Тип: Диод
      • Назначение: Общего назначения
      • Номинальное напряжение: 600В
      • Номинальный ток: 8А
      • Форм-фактор: TO263AB
    • Плюсы:
      • Высокая надежность при работе с высокими напряжениями
      • Высокий ток пропускания
      • Компактный размер корпуса
    • Минусы:
      • Средняя эффективность в сравнении с более современными решениями
      • Могут быть чувствительны к перегреву
    • Общее назначение:
      • Защита электронных устройств от обратного напряжения
      • Прерывание тока при необходимости
      • Использование в источниках питания
    • В каких устройствах применяется:
      • Источники питания
      • Промышленное оборудование
      • Автомобильные системы
      • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики SFAS808G

  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    TO-263AB (D²PAK)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    SFAS808

Техническая документация

 SFAS808G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    277Кешбэк 41 балл
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    277Кешбэк 41 балл
    SFAS806GDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    277Кешбэк 41 балл
    SFAS808GDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    279Кешбэк 41 балл
    SFAS808GHDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    279Кешбэк 41 балл
    TSUP5M45SH S1G5A, 45V, SCHOTTKY RECTIFIER
    279Кешбэк 41 балл
    SFF505GDIODE GEN PURP 300V 5A ITO220AB
    281Кешбэк 42 балла
    SFF504GDIODE GEN PURP 200V 5A ITO220AB
    281Кешбэк 42 балла
    SFS1008GDIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
    283Кешбэк 42 балла
    SFF1008GADIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB
    283Кешбэк 42 балла
    SFF1008GDIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB
    283Кешбэк 42 балла
    SFF1604GDIODE GEN PURP 200V 16A ITO220AB
    287Кешбэк 43 балла
    HERF1007GAHDIODE, HIGH EFFICIENT
    293Кешбэк 43 балла
    TPAR3D S1GDIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
    298Кешбэк 44 балла
    HERAF808GDIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
    300Кешбэк 45 баллов
    SFS1006GHDIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
    308Кешбэк 46 баллов
    SFS1006GDIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
    308Кешбэк 46 баллов
    MUR860HDIODE GEN PURPOSE
    315Кешбэк 47 баллов
    TST20L100CWDIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AB
    329Кешбэк 49 баллов
    TSUP10M60SH S1G10A, 60V, SCHOTTKY RECTIFIER
    334Кешбэк 50 баллов
    SFF1608GДиод: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AB
    351Кешбэк 52 балла
    SFF2004GDIODE GEN PURP 200V 20A ITO220AB
    351Кешбэк 52 балла
    SFF2006GHDIODE GEN PURP 400V 20A ITO220AB
    355Кешбэк 53 балла
    SFF2006GDIODE GEN PURP 400V 20A ITO220AB
    355Кешбэк 53 балла
    SFF2008GDIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AB
    361Кешбэк 54 балла
    TST30L100CWDIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
    372Кешбэк 55 баллов
    TST30L150CWDIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
    374Кешбэк 56 баллов
    TST30H200CWDIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
    409Кешбэк 61 балл
    TST40L120CWDIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
    410Кешбэк 61 балл
    TSP10U120SDIODE SCHOTTKY 120V 10A TO277A
    410Кешбэк 61 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП