Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI1013CX-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3
;
SI1013CX-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI1013CX-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3Все характеристики

Минимальная цена SI1013CX-T1-GE3 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1013CX-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3 VISHAY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным каналом (P-CH). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 20В
  • Номинальный ток Drain-Source ID(on): 450mA
  • Тип корпуса: SC89-3

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малое потребление тока при отключенном состоянии
  • Устойчивость к электрическим разрядам

Минусы:

  • Низкий ток Drain-Source ID(on) (450mA)
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для работы с высокими напряжениями

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах.

Применяется в:

  • Электронных системах управления
  • Драйверах для светодиодных лент
  • Инверторах для преобразования напряжений
  • Коммутационных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SI1013CX-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    450mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    760mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    45 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    190mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-89-3
  • Корпус
    SC-89, SOT-490
  • Base Product Number
    SI1013

Техническая документация

 SI1013CX-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 95 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 10
    48 ₽
  • 500
    19.8 ₽
  • 3000
    14.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI1013CX-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3Все характеристики

Минимальная цена SI1013CX-T1-GE3 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1013CX-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3 VISHAY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным каналом (P-CH). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 20В
  • Номинальный ток Drain-Source ID(on): 450mA
  • Тип корпуса: SC89-3

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малое потребление тока при отключенном состоянии
  • Устойчивость к электрическим разрядам

Минусы:

  • Низкий ток Drain-Source ID(on) (450mA)
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для работы с высокими напряжениями

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах.

Применяется в:

  • Электронных системах управления
  • Драйверах для светодиодных лент
  • Инверторах для преобразования напряжений
  • Коммутационных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SI1013CX-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    450mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    760mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    45 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    190mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-89-3
  • Корпус
    SC-89, SOT-490
  • Base Product Number
    SI1013

Техническая документация

 SI1013CX-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN2005LPK-7MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN2041L-7MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
    85Кешбэк 12 баллов
    DMP58D0LFB-7Транзистор: MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN3024SFG-13MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
    86Кешбэк 12 баллов
    DMG6402LDM-7MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
    87Кешбэк 13 баллов
    ZVN3310AMOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN2400UFD-7MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
    87Кешбэк 13 баллов
    DMP56D0UFB-7MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN3026LVT-7MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
    87Кешбэк 13 баллов
    DMP32D4S-7MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN3067LW-13MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
    87Кешбэк 13 баллов
    ZXMN2F30FHTAMOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    BSS123TAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN3070SSN-7MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
    87Кешбэк 13 баллов
    DMG3404L-7MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN65D8LW-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
    88Кешбэк 13 баллов
    ZXM61P03FTAMOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
    88Кешбэк 13 баллов
    DMN2004WK-7MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
    89Кешбэк 13 баллов
    DMP3085LSS-13Транзистор: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN6140LQ-7MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN10H170SFG-13MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN3065LW-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN62D0LFB-7MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
    91Кешбэк 13 баллов
    DMG2301U-7MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP31D0U-7MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    DMG3415U-7MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP2215L-7MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    DMN3042L-13MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP32D5SFB-7BMOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP32D9UFZ-7BMOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП