Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3
;
SI1013CX-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI1013CX-T1-GE3 при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1013CX-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3 VISHAY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным каналом (P-CH). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 20В
  • Номинальный ток Drain-Source ID(on): 450mA
  • Тип корпуса: SC89-3

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малое потребление тока при отключенном состоянии
  • Устойчивость к электрическим разрядам

Минусы:

  • Низкий ток Drain-Source ID(on) (450mA)
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для работы с высокими напряжениями

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах.

Применяется в:

  • Электронных системах управления
  • Драйверах для светодиодных лент
  • Инверторах для преобразования напряжений
  • Коммутационных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SI1013CX-T1-GE3

Техническая документация

SI1013CX-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 345 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    68 ₽
  • 10
    45 ₽
  • 500
    18.7 ₽
  • 3000
    14 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI1013CX-T1-GE3 при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1013CX-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3 VISHAY — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным каналом (P-CH). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 20В
  • Номинальный ток Drain-Source ID(on): 450mA
  • Тип корпуса: SC89-3

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малое потребление тока при отключенном состоянии
  • Устойчивость к электрическим разрядам

Минусы:

  • Низкий ток Drain-Source ID(on) (450mA)
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для работы с высокими напряжениями

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах.

Применяется в:

  • Электронных системах управления
  • Драйверах для светодиодных лент
  • Инверторах для преобразования напряжений
  • Коммутационных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SI1013CX-T1-GE3

Техническая документация

SI1013CX-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории