Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI1025X-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3
;
SI1025X-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI1025X-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89Все характеристики

Минимальная цена SI1025X-T1-GE3 при покупке от 1 шт 144.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1025X-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного канала (VGS(th)): 4.0 V
    • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (VDS(max)): 60 V
    • Максимальный ток коллектора (ID(max)): 0.19 A
    • Количество каналов: 2
    • Пакет: SC-89
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии производства от Vishay Siliconix
    • Устойчивость к переносу напряжений
    • Малый размер и легкость для интеграции в различные электронные устройства
    • Эффективность в работе при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Максимальный ток коллектора относительно низкий по сравнению с другими типами MOSFET
    • Не рекомендуется для высокоточных приложений из-за разброса параметров
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Защита от перенапряжений
    • Переключение нагрузки в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Промышленные контроллеры
    • Цифровые часы и другие портативные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SI1025X-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    190mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.7nC @ 15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    23pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SC-89 (SOT-563F)
  • Base Product Number
    SI1025

Техническая документация

 SI1025X-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4808 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    144 ₽
  • 10
    90 ₽
  • 100
    58 ₽
  • 500
    43 ₽
  • 1000
    37 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI1025X-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89Все характеристики

Минимальная цена SI1025X-T1-GE3 при покупке от 1 шт 144.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1025X-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного канала (VGS(th)): 4.0 V
    • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (VDS(max)): 60 V
    • Максимальный ток коллектора (ID(max)): 0.19 A
    • Количество каналов: 2
    • Пакет: SC-89
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии производства от Vishay Siliconix
    • Устойчивость к переносу напряжений
    • Малый размер и легкость для интеграции в различные электронные устройства
    • Эффективность в работе при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Максимальный ток коллектора относительно низкий по сравнению с другими типами MOSFET
    • Не рекомендуется для высокоточных приложений из-за разброса параметров
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Защита от перенапряжений
    • Переключение нагрузки в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Промышленные контроллеры
    • Цифровые часы и другие портативные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SI1025X-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    190mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.7nC @ 15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    23pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SC-89 (SOT-563F)
  • Base Product Number
    SI1025

Техническая документация

 SI1025X-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZXMN6A11DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
    229Кешбэк 34 балла
    ZXMN2A04DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
    509Кешбэк 76 баллов
    DMHC3025LSD-13Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
    213Кешбэк 31 балл
    ZXMHC10A07T8TAТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
    498Кешбэк 74 балла
    ZXMC3F31DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
    198Кешбэк 29 баллов
    ZXMP6A18DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
    389Кешбэк 58 баллов
    DMN63D8LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    31.5Кешбэк 4 балла
    ZXMN6A09DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
    498Кешбэк 74 балла
    DMN3190LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    37Кешбэк 5 баллов
    ZXMP6A16DN8QTAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
    378Кешбэк 56 баллов
    DMN3033LSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    152Кешбэк 22 балла
    DMN3135LVT-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
    104Кешбэк 15 баллов
    ZXMN3A06DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    322Кешбэк 48 баллов
    DMC3016LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
    148Кешбэк 22 балла
    ZXMC4559DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    DMC4029SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    ZXMP3A16DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
    378Кешбэк 56 баллов
    ZXMC3A17DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    268Кешбэк 40 баллов
    ZXMN6A25DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
    356Кешбэк 53 балла
    DI9952TMOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
    291Кешбэк 43 балла
    DMC4028SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
    256Кешбэк 38 баллов
    DMC3028LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
    148Кешбэк 22 балла
    DMP4050SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
    265Кешбэк 39 баллов
    ZXMN2AMCTAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
    282Кешбэк 42 балла
    PMDXB1200UPEZТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
    44.5Кешбэк 6 баллов
    AO4882Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    AO4629Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
    128Кешбэк 19 баллов
    AON7804Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
    139Кешбэк 20 баллов
    AO6604Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
    145Кешбэк 21 балл
    AO4818BТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
    222Кешбэк 33 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП