Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI1032R-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI1032R-T1-GE3

SI1032R-T1-GE3

SI1032R-T1-GE3
;
SI1032R-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI1032R-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 140MA SC75AВсе характеристики

Минимальная цена SI1032R-T1-GE3 при покупке от 1 шт 108.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1032R-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1032R-T1-GE3

SI1032R-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного состояния: 20В
    • Разрядный ток: 140мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Объемный размер: SC75A
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый динамический ток утечки
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Низкое сопротивление при включенном состоянии
  • Минусы:
    • Ограниченная способность управления мощностью
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных схемах
    • Переключение нагрузок
    • Ограничение напряжений
  • Применение:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SI1032R-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    140mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.75 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-75A
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Base Product Number
    SI1032

Техническая документация

 SI1032R-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2843 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    108 ₽
  • 50
    57 ₽
  • 500
    37 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI1032R-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 140MA SC75AВсе характеристики

Минимальная цена SI1032R-T1-GE3 при покупке от 1 шт 108.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1032R-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1032R-T1-GE3

SI1032R-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного состояния: 20В
    • Разрядный ток: 140мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Объемный размер: SC75A
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый динамический ток утечки
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Низкое сопротивление при включенном состоянии
  • Минусы:
    • Ограниченная способность управления мощностью
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных схемах
    • Переключение нагрузок
    • Ограничение напряжений
  • Применение:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SI1032R-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    140mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.75 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-75A
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Base Product Number
    SI1032

Техническая документация

 SI1032R-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN2005LPK-7MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN2041L-7MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
    85Кешбэк 12 баллов
    DMP58D0LFB-7Транзистор: MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN3024SFG-13MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
    86Кешбэк 12 баллов
    DMG6402LDM-7MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
    87Кешбэк 13 баллов
    ZVN3310AMOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN2400UFD-7MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
    87Кешбэк 13 баллов
    DMP56D0UFB-7MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN3026LVT-7MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
    87Кешбэк 13 баллов
    DMP32D4S-7MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN3067LW-13MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
    87Кешбэк 13 баллов
    ZXMN2F30FHTAMOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    BSS123TAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN3070SSN-7MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
    87Кешбэк 13 баллов
    DMG3404L-7MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
    87Кешбэк 13 баллов
    DMN65D8LW-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
    88Кешбэк 13 баллов
    ZXM61P03FTAMOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
    88Кешбэк 13 баллов
    DMN2004WK-7MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
    89Кешбэк 13 баллов
    DMP3085LSS-13Транзистор: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN6140LQ-7MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN10H170SFG-13MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN3065LW-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN62D0LFB-7MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
    91Кешбэк 13 баллов
    DMG2301U-7MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP31D0U-7MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    DMG3415U-7MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP2215L-7MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
    91Кешбэк 13 баллов
    DMN3042L-13MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP32D5SFB-7BMOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN
    91Кешбэк 13 баллов
    DMP32D9UFZ-7BMOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Симисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП