Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3
;
SI1070X-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI1070X-T1-GE3 при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1070X-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET составляет около 4 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 1.2 А
    • Напряжение срабатывания (VDS): 30 В
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление при отключенном MOSFETе (RDS(on)): не указано, но обычно для таких MOSFET составляет несколько десятков мОм
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения (низкое RDS(on))
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий динамический ток течения при переключении
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Требует дополнительного источника питания для подачи напряжения на гейт
    • Возможны проблемы с перегревом при высоких токах или частых переключениях
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение токов
    • Снижение энергопотерь в системах управления
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Инверторах и преобразователях
    • Системах питания
    • Электронных нагрузках
    • Устройствах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI1070X-T1-GE3

Техническая документация

SI1070X-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 720 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    146 ₽
  • 10
    103 ₽
  • 100
    74 ₽
  • 500
    45 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI1070X-T1-GE3 при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1070X-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET составляет около 4 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 1.2 А
    • Напряжение срабатывания (VDS): 30 В
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление при отключенном MOSFETе (RDS(on)): не указано, но обычно для таких MOSFET составляет несколько десятков мОм
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения (низкое RDS(on))
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий динамический ток течения при переключении
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Требует дополнительного источника питания для подачи напряжения на гейт
    • Возможны проблемы с перегревом при высоких токах или частых переключениях
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение токов
    • Снижение энергопотерь в системах управления
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Инверторах и преобразователях
    • Системах питания
    • Электронных нагрузках
    • Устройствах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI1070X-T1-GE3

Техническая документация

SI1070X-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории