Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI1302DL-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3
;
SI1302DL-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI1302DL-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3Все характеристики

Минимальная цена SI1302DL-T1-GE3 при покупке от 1 шт 95.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1302DL-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 30В 600мА SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 600мА
    • Пакет: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету SC70-3
    • Устойчивость к перегреву и электрическим шокам
  • Минусы:
    • Максимальный ток может быть недостаточен для высокопроизводительных приложений
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок
    • Защита электронных схем от перегрузок и скачков напряжений
  • Применение в устройствах:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Стационарные и мобильные телефоны
    • Автомобильные электронные системы
    • Медицинское оборудование
    • Электроприборы и бытовую технику
Выбрано: Показать

Характеристики SI1302DL-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    600mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    480mOhm @ 600mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    280mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    SI1302

Техническая документация

 SI1302DL-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    95 ₽
  • 10
    69 ₽
  • 500
    35 ₽
  • 3000
    30 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI1302DL-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3Все характеристики

Минимальная цена SI1302DL-T1-GE3 при покупке от 1 шт 95.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1302DL-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 30В 600мА SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 600мА
    • Пакет: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету SC70-3
    • Устойчивость к перегреву и электрическим шокам
  • Минусы:
    • Максимальный ток может быть недостаточен для высокопроизводительных приложений
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок
    • Защита электронных схем от перегрузок и скачков напряжений
  • Применение в устройствах:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Стационарные и мобильные телефоны
    • Автомобильные электронные системы
    • Медицинское оборудование
    • Электроприборы и бытовую технику
Выбрано: Показать

Характеристики SI1302DL-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    600mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    480mOhm @ 600mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    280mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    SI1302

Техническая документация

 SI1302DL-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FQI10N60CTUMOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
    246Кешбэк 36 баллов
    FDMS2510SDCMOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56
    246Кешбэк 36 баллов
    FQU3P20TUMOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
    246Кешбэк 36 баллов
    FDMS8690MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
    248Кешбэк 37 баллов
    FQI50N06LTUMOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
    248Кешбэк 37 баллов
    HUF75831SK8TMOSFET N-CH 150V 3A 8SOIC
    248Кешбэк 37 баллов
    HUFA75343G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    248Кешбэк 37 баллов
    FDMS2508SDCMOSFET N-CH 25V 34A/49A DLCOOL56
    250Кешбэк 37 баллов
    HUFA75842P3MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
    250Кешбэк 37 баллов
    HUF75545S3MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
    250Кешбэк 37 баллов
    HUFA75344S3MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
    254Кешбэк 38 баллов
    FDD2570MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
    256Кешбэк 38 баллов
    FDPF7N50UMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    258Кешбэк 38 баллов
    FDMS8660ASMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
    258Кешбэк 38 баллов
    FDW258PMOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    HUFA76445S3SMOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    259Кешбэк 38 баллов
    FQB25N33TMMOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
    261Кешбэк 39 баллов
    FDMS0308CSMOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN
    261Кешбэк 39 баллов
    FQB8N60CFTMMOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
    261Кешбэк 39 баллов
    FCU850N80ZMOSFET N-CH 800V 6A IPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    FQP2N60MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
    267Кешбэк 40 баллов
    FDP13AN06A0MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
    267Кешбэк 40 баллов
    FDP120AN15A0MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
    267Кешбэк 40 баллов
    FQAF17P10MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
    267Кешбэк 40 баллов
    HUFA75842S3SMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    267Кешбэк 40 баллов
    FQPF9N50CMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
    269Кешбэк 40 баллов
    FDP5690MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
    269Кешбэк 40 баллов
    FDW264PMOSFET P-CH 20V 9.7A 8TSSOP
    269Кешбэк 40 баллов
    FCI11N60
    272Кешбэк 40 баллов
    HUFA76437S3STMOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
    272Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП