Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI1424EDH-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI1424EDH-T1-GE3

SI1424EDH-T1-GE3

SI1424EDH-T1-GE3
;
SI1424EDH-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI1424EDH-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363Все характеристики

Минимальная цена SI1424EDH-T1-GE3 при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1424EDH-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1424EDH-T1-GE3

SI1424EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ 20В 4А SOT-363

  • Основные параметры:
    • Напряжение стакана: 20В
    • Максимальный ток: 4А
    • Тип: N-ЧЕРТЯЩИЙ (N-Channel)
    • Пакет: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии производства Vishay.
    • Компактный размер пакета SOT-363 обеспечивает удобство монтажа.
    • Устойчивость к электрическим шумам и импульсным переносам.
    • Эффективное управление нагрузкой благодаря низкому сопротивлению в режиме проводника.
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при неэффективном охлаждении.
    • Необходимо соблюдать рекомендации по выбору диода для обратной связи.
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в различных электронных устройствах.
    • Применяется в системах управления мощностью, например, в источниках питания.
    • Используется в драйверах и преобразователях напряжения.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов.
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники.
    • Микросистемы и контроллеры.
Выбрано: Показать

Характеристики SI1424EDH-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Base Product Number
    SI1424

Техническая документация

 SI1424EDH-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 20572 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    100 ₽
  • 100
    40 ₽
  • 1000
    27 ₽
  • 6000
    21.7 ₽
  • 24000
    18 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI1424EDH-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363Все характеристики

Минимальная цена SI1424EDH-T1-GE3 при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1424EDH-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1424EDH-T1-GE3

SI1424EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ 20В 4А SOT-363

  • Основные параметры:
    • Напряжение стакана: 20В
    • Максимальный ток: 4А
    • Тип: N-ЧЕРТЯЩИЙ (N-Channel)
    • Пакет: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии производства Vishay.
    • Компактный размер пакета SOT-363 обеспечивает удобство монтажа.
    • Устойчивость к электрическим шумам и импульсным переносам.
    • Эффективное управление нагрузкой благодаря низкому сопротивлению в режиме проводника.
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при неэффективном охлаждении.
    • Необходимо соблюдать рекомендации по выбору диода для обратной связи.
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в различных электронных устройствах.
    • Применяется в системах управления мощностью, например, в источниках питания.
    • Используется в драйверах и преобразователях напряжения.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов.
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники.
    • Микросистемы и контроллеры.
Выбрано: Показать

Характеристики SI1424EDH-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Base Product Number
    SI1424

Техническая документация

 SI1424EDH-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SJ651MOSFET P-CH 60V 20A TO220ML
    354Кешбэк 53 балла
    SI7172DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
    652Кешбэк 97 баллов
    HUF76419D3STMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
    67Кешбэк 10 баллов
    IRF8788TRPBFMOSFET N-CH 30V 24A 8SO
    130Кешбэк 19 баллов
    DMN62D1LFD-7MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
    22.2Кешбэк 3 балла
    STD17NF25MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
    317Кешбэк 47 баллов
    BSL606SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
    114Кешбэк 17 баллов
    IRFI9620GPBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
    504Кешбэк 75 баллов
    CSD16411Q3MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
    256Кешбэк 38 баллов
    IRFR420ATRPBFMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
    421Кешбэк 63 балла
    IRLR3915TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
    333Кешбэк 49 баллов
    NTMFS5C604NLT3GMOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
    621Кешбэк 93 балла
    SI7110DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
    465Кешбэк 69 баллов
    IRFRC20TRPBFMOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    252Кешбэк 37 баллов
    AUIRF7675M2TRMOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
    547Кешбэк 82 балла
    NTR3C21NZT3GMOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    PSMN057-200B,118MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
    663Кешбэк 99 баллов
    SUD20N10-66L-GE3MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
    113Кешбэк 16 баллов
    IPI70N04S406AKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
    163Кешбэк 24 балла
    IRFR9120NTRLPBFMOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    128Кешбэк 19 баллов
    DMT8012LFG-7MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
    206Кешбэк 30 баллов
    IRFR48ZTRLPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    422Кешбэк 63 балла
    RSJ250P10TLMOSFET P-CH 100V 25A LPTS
    645Кешбэк 96 баллов
    IRF7749L1TRPBFMOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
    736Кешбэк 110 баллов
    RSR025N03TLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    183Кешбэк 27 баллов
    IRFS7437TRLPBFТранзистор: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
    226Кешбэк 33 балла
    IRFR020TRPBFMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    374Кешбэк 56 баллов
    FDMC8360LMOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
    432Кешбэк 64 балла
    FCD5N60TMMOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    PSMN5R0-80BS,118MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
    459Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП