Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI1424EDH-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI1424EDH-T1-GE3

SI1424EDH-T1-GE3

SI1424EDH-T1-GE3
;
SI1424EDH-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI1424EDH-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363Все характеристики

Минимальная цена SI1424EDH-T1-GE3 при покупке от 1 шт 108.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1424EDH-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1424EDH-T1-GE3

SI1424EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ 20В 4А SOT-363

  • Основные параметры:
    • Напряжение стакана: 20В
    • Максимальный ток: 4А
    • Тип: N-ЧЕРТЯЩИЙ (N-Channel)
    • Пакет: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии производства Vishay.
    • Компактный размер пакета SOT-363 обеспечивает удобство монтажа.
    • Устойчивость к электрическим шумам и импульсным переносам.
    • Эффективное управление нагрузкой благодаря низкому сопротивлению в режиме проводника.
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при неэффективном охлаждении.
    • Необходимо соблюдать рекомендации по выбору диода для обратной связи.
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в различных электронных устройствах.
    • Применяется в системах управления мощностью, например, в источниках питания.
    • Используется в драйверах и преобразователях напряжения.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов.
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники.
    • Микросистемы и контроллеры.
Выбрано: Показать

Характеристики SI1424EDH-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Base Product Number
    SI1424

Техническая документация

 SI1424EDH-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 37572 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    108 ₽
  • 100
    43 ₽
  • 1000
    29.3 ₽
  • 6000
    23.3 ₽
  • 24000
    19.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI1424EDH-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363Все характеристики

Минимальная цена SI1424EDH-T1-GE3 при покупке от 1 шт 108.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1424EDH-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1424EDH-T1-GE3

SI1424EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ 20В 4А SOT-363

  • Основные параметры:
    • Напряжение стакана: 20В
    • Максимальный ток: 4А
    • Тип: N-ЧЕРТЯЩИЙ (N-Channel)
    • Пакет: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии производства Vishay.
    • Компактный размер пакета SOT-363 обеспечивает удобство монтажа.
    • Устойчивость к электрическим шумам и импульсным переносам.
    • Эффективное управление нагрузкой благодаря низкому сопротивлению в режиме проводника.
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при неэффективном охлаждении.
    • Необходимо соблюдать рекомендации по выбору диода для обратной связи.
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в различных электронных устройствах.
    • Применяется в системах управления мощностью, например, в источниках питания.
    • Используется в драйверах и преобразователях напряжения.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов.
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники.
    • Микросистемы и контроллеры.
Выбрано: Показать

Характеристики SI1424EDH-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Base Product Number
    SI1424

Техническая документация

 SI1424EDH-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK7K13-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
    447Кешбэк 67 баллов
    PSMN2R0-30YL,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    449Кешбэк 67 баллов
    BUK768R1-40E,118MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    455Кешбэк 68 баллов
    PSMN1R7-30YL,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    455Кешбэк 68 баллов
    PHP18NQ11T,127MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
    461Кешбэк 69 баллов
    PSMN2R6-40YS,115MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
    463Кешбэк 69 баллов
    BUK7Y4R8-60EXMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    469Кешбэк 70 баллов
    PSMN1R0-30YLC,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    471Кешбэк 70 баллов
    BUK7Y12-100EXMOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
    471Кешбэк 70 баллов
    PSMN4R0-60YS,115MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56
    475Кешбэк 71 балл
    PSMN8R7-80BS,118MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
    475Кешбэк 71 балл
    PSMN1R0-25YLDXMOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
    479Кешбэк 71 балл
    BUK9K13-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
    487Кешбэк 73 балла
    PSMN0R9-25YLC,115Транзистор: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
    493Кешбэк 73 балла
    BUK9Y8R5-80EXMOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
    495Кешбэк 74 балла
    BUK969R0-60E,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    511Кешбэк 76 баллов
    PHB47NQ10T,118MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
    513Кешбэк 76 баллов
    BUK768R3-60E,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    527Кешбэк 79 баллов
    PSMN4R6-60BS,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    531Кешбэк 79 баллов
    BUK9217-75B,118MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
    548Кешбэк 82 балла
    PSMN015-60PS,127MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    569Кешбэк 85 баллов
    PSMN4R5-40PS,127MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
    581Кешбэк 87 баллов
    PHP18NQ10T,127MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
    581Кешбэк 87 баллов
    PHP29N08T,127MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB
    583Кешбэк 87 баллов
    BUK9240-100A,118MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
    584Кешбэк 87 баллов
    BUK766R0-60E,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    585Кешбэк 87 баллов
    BUK966R5-60E,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    587Кешбэк 88 баллов
    PSMN9R5-100BS,118MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
    587Кешбэк 88 баллов
    PSMN3R4-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    593Кешбэк 88 баллов
    BUK9608-55B,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    595Кешбэк 89 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули триодных тиристоров
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП