Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SI1443EDH-T1-GE3

SI1443EDH-T1-GE3

SI1443EDH-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SI1443EDH-T1-GE3
Описание:
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363Все характеристики

Минимальная цена SI1443EDH-T1-GE3 при покупке от 1 шт 103.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1443EDH-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI1443EDH-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Рассеивание мощности (Макс)
1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SC-70-6
Корпус
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Base Product Number
SI1443

Техническая документация

SI1443EDH-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

10396 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
103 ₽
100
37 ₽
1000
33 ₽
6000
25.5 ₽
24000
21.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SI1443EDH-T1-GE3
Описание:
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363Все характеристики

Минимальная цена SI1443EDH-T1-GE3 при покупке от 1 шт 103.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1443EDH-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI1443EDH-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Рассеивание мощности (Макс)
1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SC-70-6
Корпус
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Base Product Number
SI1443

Техническая документация

SI1443EDH-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

TN2640LG-G MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC

454Кешбэк 68 баллов

IRFR420APBF MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

360Кешбэк 54 балла

STB28NM60ND MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

1 310Кешбэк 196 баллов

IPP60R600P6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3

167Кешбэк 25 баллов

TK20E60W,S1VX MOSFET N-CH 600V 20A TO220

1 235Кешбэк 185 баллов

IXTH180N10T MOSFET N-CH 100V 180A TO247

1 598Кешбэк 239 баллов

SI4465ADY-T1-E3 MOSFET P-CH 8V 8SOIC

548Кешбэк 82 балла

IRFU110PBF MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

88Кешбэк 13 баллов

STP130N6F7 MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB

263Кешбэк 39 баллов

2N7002-7-F Транзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

20.4Кешбэк 3 балла

BUK7Y14-80EX MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56

383Кешбэк 57 баллов

IRFB4019PBF MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB

312Кешбэк 46 баллов

HUF75545P3 Транзистор: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3

306Кешбэк 45 баллов

NTA4001NT1 MOSFET N-CH 20V 238MA SC75

21Кешбэк 3 балла

STP13NK60Z MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

362Кешбэк 54 балла

STL110N10F7 MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

579Кешбэк 86 баллов

SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM

69Кешбэк 10 баллов

DMT8012LPS-13 MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060

302Кешбэк 45 баллов

IRLR3105TRPBF MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

173Кешбэк 25 баллов

TK34E10N1,S1X MOSFET N-CH 100V 75A TO220

409Кешбэк 61 балл

IRF830BPBF Транзистор: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

256Кешбэк 38 баллов

NTD4809N-1G Транзистор: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

28Кешбэк 4 балла

DMN2320UFB4-7B MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

102Кешбэк 15 баллов

IPP60R180C7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3

554Кешбэк 83 балла

DMN313DLT-7 MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523

45Кешбэк 6 баллов

VN0300L-G MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3

268Кешбэк 40 баллов

ZXMN10A07FTA MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

107Кешбэк 16 баллов

SIS406DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8

124Кешбэк 18 баллов

FDM3622 MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

355Кешбэк 53 балла

NTLJS3113PTAG MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

51Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Принадлежности

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

IGBT транзисторы

Диоды - мостовые выпрямители

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - Модули

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - программируемые однопереходные

Модули драйверов питания

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диоды силовые

Биполярные транзисторы - Сборки

Тиристоры - SCR - модули

Полевые транзисторы - Одиночные

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Диоды - выпрямители - массивы

Диодные мосты

Симисторы - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Высокочастотные диоды

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Варикапы и Варакторы

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды выпрямительные - Сборки

Триодные тиристоры - Модули

Симисторы

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - IGBT - одиночные

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Транзисторы - Специального назначения

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Диоды - ВЧ

Транзисторы - IGBT - модули

Диодные мосты - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Тиристоры - SCR

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы - JFET

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Программируемые однопереходные транзисторы

Полевые транзисторы - Модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали