SI1900DL-T1-E3

SI1900DL-T1-E3 Vishay Semiconductors MOSFET:

• Тип: MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор)
• Количество каналов: 2N-CH
• Номинальное напряжение блокировки: 30В
• Номинальный ток: 0.59А
• Форм-фактор: SC70-6

Основные параметры:

• Номинальное напряжение блокировки V_DS(on): до 4.5В при I_D=0.59А
• Эффективное сопротивление R_DS(on): до 3.3Ω при I_D=0.59А
• Предел температурной эксплуатации: -55°C до +125°C

Плюсы:

• Низкое сопротивление при conductive режиме
• Устойчивость к обратному напряжению
• Малый размер и легкость в интеграции
• Высокая надежность и стабильность

Минусы:

• Высокие потери при высоких температурах
• Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
• Зависимость характеристик от температуры

Общее назначение:

• Изменение уровня напряжения в электрических цепях
• Регулировка тока в цепях
• Изоляция сигналов

В каких устройствах применяется:

• Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
• Автомобили (системы управления двигателем)
• Игровые приставки и периферия
• Промышленное оборудование (тестирование, мониторинг)
• Инверторы и преобразователи напряжения