Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3
;
SI1926DL-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI1926DL-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6Все характеристики

Минимальная цена SI1926DL-T1-E3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1926DL-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET:

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов: 2N-CH
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 60В
    • Номинальный ток (ID(on)): 0,37А
    • Форм-фактор: SC-70-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Средняя проводимость при высоких температурах
    • Необходимо дополнительное охлаждение для больших токов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение частоты
    • Изоляция сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Системы управления электропитанием
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики SI1926DL-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    370mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 340mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18.5pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    510mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Base Product Number
    SI1926

Техническая документация

SI1926DL-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI1926DL-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6Все характеристики

Минимальная цена SI1926DL-T1-E3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1926DL-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET:

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов: 2N-CH
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 60В
    • Номинальный ток (ID(on)): 0,37А
    • Форм-фактор: SC-70-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Средняя проводимость при высоких температурах
    • Необходимо дополнительное охлаждение для больших токов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение частоты
    • Изоляция сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Системы управления электропитанием
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики SI1926DL-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    370mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 340mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    18.5pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    510mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Base Product Number
    SI1926

Техническая документация

SI1926DL-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории