SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
VISHAY
Артикул:
SI2307CDS-T1-GE3
Описание:
Транзистор: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2307CDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 69.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2307CDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Основные параметры:
- Напряжение смещения (V_GS(th)): ≤ 4 В
- Максимальное напряжение между гейтом и эмиттером (V_GS): 30 В
- Максимальный ток дrain (I_D): 3.5 А
- Пакет: SOT23-3
Плюсы:
- Компактный размер пакета (SOT23-3)
- Высокая скорость переключения благодаря низкому V_GS(th)
- Высокое отношение нагрузки к проводимости (R_DS(on)) при высоких значениях I_D
- Устойчивость к ударным напряжениям
Минусы:
- Только для применения в качестве N-канального транзистора (P-канальный)
- Могут быть ограничения по температуре работы
Общее назначение:
- Регулирование напряжений
- Переключение нагрузок
- Импульсные источники питания
- Применяются в цифровых и аналоговых электронных устройствах
В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы управления
- Мобильные устройства
- Импульсные преобразователи
- Электронные системы управления двигателем
- Медицинское оборудование

Техническая документация