Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранители
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SI2312-TP
  • В избранное
  • В сравнение
SI2312-TP

SI2312-TP

SI2312-TP
;
SI2312-TP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Micro Commercial Co
  • Артикул:
    SI2312-TP
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 5A SOT23Все характеристики

Минимальная цена SI2312-TP при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2312-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2312-TP

SI2312-TP Micro Commercial Co MOSFET N-CH 20V 5A SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение проводимости (VGS(th)): до 4 В
    • Размеры пакета: SOT23
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 5 А
    • Номинальное напряжение проводимости (VDS(on)): 20 В
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость при интеграции в системы
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий ток смещения (IDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют дополнительных компонентов для защиты от перегрузки
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Беспроводные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SI2312-TP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41mOhm @ 4.3A, 1.8V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    865 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2312

Техническая документация

 SI2312-TP.pdf
pdf. 0 kb
  • 51085 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    78 ₽
  • 100
    25 ₽
  • 1000
    20.3 ₽
  • 6000
    15 ₽
  • 15000
    11.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Micro Commercial Co
  • Артикул:
    SI2312-TP
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 5A SOT23Все характеристики

Минимальная цена SI2312-TP при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2312-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2312-TP

SI2312-TP Micro Commercial Co MOSFET N-CH 20V 5A SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение проводимости (VGS(th)): до 4 В
    • Размеры пакета: SOT23
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 5 А
    • Номинальное напряжение проводимости (VDS(on)): 20 В
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость при интеграции в системы
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий ток смещения (IDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют дополнительных компонентов для защиты от перегрузки
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Беспроводные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SI2312-TP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41mOhm @ 4.3A, 1.8V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    865 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2312

Техническая документация

 SI2312-TP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD17556Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    629Кешбэк 94 балла
    TPIC5424LDWN-CHANNEL POWER MOSFET
    429Кешбэк 64 балла
    CSD18504Q5ATТранзистор: MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
    480Кешбэк 72 балла
    CSD16340Q3TMOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
    396Кешбэк 59 баллов
    CSD18510Q5BTMOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
    747Кешбэк 112 баллов
    CSD16401Q5TMOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
    556Кешбэк 83 балла
    CSD18511KTTMOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
    450Кешбэк 67 баллов
    CSD17559Q5TMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    704Кешбэк 105 баллов
    CSD17576Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    157Кешбэк 23 балла
    CSD16321Q5T25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
    375Кешбэк 56 баллов
    CSD19538Q3AMOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
    185Кешбэк 27 баллов
    TPIC2322LDSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    297Кешбэк 44 балла
    CSD18511KCSMOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
    416Кешбэк 62 балла
    TPIC5621LDWN-CHANNEL POWER MOSFET
    429Кешбэк 64 балла
    CSD17581Q5AMOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
    177Кешбэк 26 баллов
    CSD25501F3MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
    71Кешбэк 10 баллов
    CSD16415Q5TMOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
    760Кешбэк 114 баллов
    CSD18510KTTMOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
    560Кешбэк 84 балла
    CSD18543Q3ATТранзистор: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
    314Кешбэк 47 баллов
    CSD18510KTTTMOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
    743Кешбэк 111 баллов
    CSD22206WTMOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
    357Кешбэк 53 балла
    CSD19533Q5ATMOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
    403Кешбэк 60 баллов
    CSD18503Q5ATMOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
    472Кешбэк 70 баллов
    CSD19538Q3ATMOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
    97Кешбэк 14 баллов
    SI2312-TPMOSFET N-CH 20V 5A SOT23
    78Кешбэк 11 баллов
    SI2324A-TPMOSFET N-CH 100V 2A SOT23
    78Кешбэк 11 баллов
    SI2310B-TPMOSFET N-CH 60V 3A SOT23
    62Кешбэк 9 баллов
    MCTL300N10Y-TPMOSFET N-CH 100V 300A TOLL-8L
    1 365Кешбэк 204 балла
    MCB130N10Y-TPMOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
    541Кешбэк 81 балл
    MCQ05P10Y-TPP-CHANNEL MOSFET, SOP-8
    220Кешбэк 33 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП